высокотемпературный полупроводниковый прибор

высокотемпературный полупроводниковый прибор, Всего: 199 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к высокотемпературный полупроводниковый прибор, являются: Полупроводниковые приборы, Оптоэлектроника. Лазерное оборудование, Интегральные схемы. Микроэлектроника, Изделия цветных металлов, Графические символы, Полупроводниковые материалы, Механические конструкции электронного оборудования, Выпрямители. Конвертеры. Стабилизированный источник питания.

British Standards Institution (BSI), высокотемпературный полупроводниковый прибор

BS IEC 60747-14-5:2010 Полупроводниковые приборы - Полупроводниковые датчики - Полупроводниковый датчик температуры с PN-переходом
BS EN 60749-6:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Хранение при высокой температуре.
BS EN 60749-6:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Хранение при высокой температуре.
BS IEC 60747-14-4:2011 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Полупроводниковые акселерометры
BS IEC 60747-5-4:2022 Полупроводниковые приборы - Оптоэлектронные приборы. Полупроводниковые лазеры
BS EN 60749-23:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Срок службы при высоких температурах.
BS EN 60749-23:2004+A1:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Срок службы при высоких температурах
BS IEC 60747-14-2:2000 Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные схемы. Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые датчики. Элементы Холла.
BS IEC 60747-5-4:2006 Полупроводниковые приборы - Дискретные приборы - Оптоэлектронные приборы - Полупроводниковые лазеры
BS IEC 60747-14-2:2001 Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные схемы. Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые датчики. Элементы Холла.
BS EN IEC 60747-15:2024 Полупроводниковые приборы - Дискретные приборы. Изолированные силовые полупроводниковые приборы
BS 3839:1965 Бескислородная медь высокой проводимости для электронных ламп и полупроводниковых приборов.
BS EN 60747-15:2004 Дискретные полупроводниковые приборы. Изолированные силовые полупроводниковые приборы
BS IEC 60747-14-3:2001 Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные схемы. Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые датчики-Датчики давления
BS EN 60747-15:2012 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Изолированные силовые полупроводниковые приборы
BS IEC 60747-14-1:2001 Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные схемы. Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые датчики. Общие сведения и классификация. Общие сведения о датчиках и классификация полупроводниковых датчиков.
BS IEC 60747-14-1:2000 Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные схемы. Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые датчики-Общие сведения и классификация-Общие сведения о датчиках и классификация полупроводниковых датчиков
BS IEC 60747-1:2006+A1:2010 Полупроводниковые приборы – Общие сведения
BS IEC 62951-4:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растягивающиеся полупроводниковые устройства. Оценка усталости гибкой проводящей тонкой пленки на подложке гибких полупроводниковых устройств.
BS IEC 60747-14-1:2010 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые датчики. Общая спецификация датчиков.
PD IEC/TR 63133:2017 Полупроводниковые приборы. Оценка уровня старения полупроводниковых приборов на основе сканирования
BS PD IEC/TR 63133:2017 Полупроводниковые приборы. Оценка уровня старения полупроводниковых приборов на основе сканирования
BS IEC 60747-1:2006 Полупроводниковые приборы. Общий
BS 3839:1978 Спецификация на бескислородную медь с высокой проводимостью для электронных ламп и полупроводниковых приборов
BS 6493-1.1:1984 Полупроводниковые приборы. Часть 1. Дискретные устройства. Раздел 1.1. Общие сведения.
BS EN 62779-1:2016 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковый интерфейс для связи с телом человека. Общие требования
23/30451654 DC БС ЕН МЭК 60747-15. Полупроводниковые приборы. Часть 15. Изолированные силовые полупроводниковые приборы. Дискретные устройства
BS EN 60749-25:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Температурное циклирование.
BS IEC 60747-7:2011 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Биполярные транзисторы
BS IEC 60747-6:2000 Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные схемы - Тиристоры
BS IEC 60747-7:2010+A1:2019 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства - Биполярные транзисторы
BS IEC 60747-7:2010 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Биполярные транзисторы
19/30404095 DC БС ЕН МЭК 60747-5-4. Полупроводниковые приборы. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры
BS IEC 60747-6:2001 Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные схемы - Тиристоры

International Electrotechnical Commission (IEC), высокотемпературный полупроводниковый прибор

IEC 60747-14-5:2010 Полупроводниковые приборы. Часть 14-5. Полупроводниковые датчики. Полупроводниковый датчик температуры с PN-переходом.
IEC 60749-6:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
IEC 60747-14-4:2011 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 14-4. Полупроводниковые акселерометры.
IEC 60749-6:2002/COR1:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
IEC 60749-6:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
IEC 60747-5-4:2024 Сemiconductor устройства - Часть 5-4: Optoeлектронные устройства - Квантовые лазеры
IEC 60747-5-4:2006 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры.
IEC 60747-15:2010 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 15. Изолированные силовые полупроводниковые приборы.
IEC 60747-5-4:2022+AMD1:2024 CSV Семикондукторные приборы - Часть 5-4: Оптоэлектронные приборы - Семикондукторные лазеры
IEC 60749-23:2004/AMD1:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
IEC 60747-5-4:2022 Полупроводниковые приборы. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры.
IEC 60749-23:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
IEC 60749-23:2004+AMD1:2011 CSV Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
IEC 60747-14-2:2000 Полупроводниковые приборы. Часть 14-2. Полупроводниковые датчики; Элементы зала
IEC 60747-15:2003 Дискретные полупроводниковые приборы. Часть 15. Изолированные силовые полупроводниковые приборы.
IEC 60747-5-4:2022/AMD1:2024 Поправка 1 - Полупроводниковые приборы - Часть 5-4: Оптоэлектронные устройства - Семiconductor lasers
IEC 60747-14-3:2001 Полупроводниковые приборы. Часть 14-3. Полупроводниковые датчики; Датчики давления
IEC 60749-23:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
IEC 60747-14-1:2000 Полупроводниковые приборы. Часть 14-1. Полупроводниковые датчики; Общие сведения и классификация
IEC TR 63133:2017 Полупроводниковые устройства — оценка уровня старения полупроводниковых устройств на основе сканирования (Редакция 1.0)
IEC 60747-14-3:2009 Полупроводниковые приборы. Часть 14-3. Полупроводниковые датчики. Датчики давления.
IEC 62951-4:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 4. Оценка усталости гибкой проводящей тонкой пленки на подложке для гибких полупроводниковых приборов.
IEC 60191-1:1966 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 1: Подготовка чертежей полупроводниковых приборов.
IEC 60747-14-1:2010 Полупроводниковые устройства. Часть 14-1. Полупроводниковые датчики. Общие спецификации датчиков.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, высокотемпературный полупроводниковый прибор

GB/T 4937-1995 Механические и климатические методы испытаний полупроводниковых приборов
GB/T 12560-1999 Полупроводниковые приборы. Секционная спецификация дискретных приборов.
GB/T 4937.23-2023 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
GB 15651.4-2017 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства Часть 5-4: Оптоэлектронные устройства Полупроводниковые лазеры
GB/T 20522-2006 Полупроводниковые приборы. Часть 14-3: Полупроводниковые датчики. Датчики давления
GB/T 20521-2006 Полупроводниковые приборы. Часть 14-1: Полупроводниковые датчики. Общие сведения и классификация

SCC, высокотемпературный полупроводниковый прибор

07/30164953 DC МЭК 60747-14-5. Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 14-5. Полупроводниковые датчики. Полупроводниковый датчик температуры с PN-переходом
07/30162213 DC БС ЕН 60747-15. Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства Часть 15. Изолированные силовые полупроводниковые приборы

German Institute for Standardization, высокотемпературный полупроводниковый прибор

DIN IEC 60747-14-5 E:2008 Проект документа. Полупроводниковые приборы. Часть 14-5. Полупроводниковые датчики. Полупроводниковый датчик температуры с PN-переходом (IEC 47E/353/CD:2007).
DIN IEC 60747-11:1992 Полупроводниковые приборы; спецификация по сечениям полупроводниковых приборов; идентичен IEC 60747-11:1985
DIN EN 60749-6:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре (IEC 60749-6:2002); Немецкая версия EN 60749-6:2003
DIN EN 60749-6:2017-11 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре (IEC 60749-6:2017); Немецкая версия EN 60749-6:2017 / Примечание: DIN EN 60749-6 (2003-04) остается действительным наряду с этим стандартом до 07 апреля 2020 г.
DIN EN 60747-15:2012-08 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 15. Изолированные силовые полупроводниковые приборы (IEC 60747-15:2010); Немецкая версия EN 60747-15:2012 / Примечание: DIN EN 60747-15 (2004-08) остается действительным наряду с этим стандартом до 20 января 2014 г.
DIN EN 60749-23:2011-07 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах (IEC 60749-23:2004 + A1:2011); Немецкая версия EN 60749-23:2004 + A1:2011 / Примечание: DIN EN 60749-23 (2004-10) остается действительным наряду с этим стандартом до...
DIN EN 60749-6 E:2016-09 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
DIN EN 60749-6:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре (IEC 60749-6:2017); Немецкая версия EN 60749-6:2017
DIN EN 60747-15:2004 Дискретные полупроводниковые приборы. Часть 15. Изолированные силовые полупроводниковые приборы (IEC 60747-15:2003); Немецкая версия EN 60747-15:2004.

GSO, высокотемпературный полупроводниковый прибор

GSO IEC 60747-14-5:2015 Полупроводниковые приборы. Часть 14-5. Полупроводниковые датчики. Полупроводниковый датчик температуры с PN-переходом.
BH GSO IEC 60747-15:2016 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 15. Изолированные силовые полупроводниковые приборы.
OS GSO IEC 60747-15:2014 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 15. Изолированные силовые полупроводниковые приборы.
GSO IEC 60747-14-2:2014 Полупроводниковые приборы. Часть 14-2. Полупроводниковые датчики. Элементы Холла.
OS GSO IEC 60747-5-4:2014 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры.
BH GSO IEC 60749-23:2016 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
OS GSO IEC 60749-23:2014 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
BH GSO IEC 60747-14-2:2016 Полупроводниковые приборы. Часть 14-2. Полупроводниковые датчики. Элементы Холла.
BH GSO IEC 60747-5-4:2016 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры.
OS GSO IEC 60747-14-4:2014 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 14-4. Полупроводниковые акселерометры.
BH GSO IEC 60747-14-4:2016 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 14-4. Полупроводниковые акселерометры.
OS GSO IEC 60747-14-3:2014 Полупроводниковые приборы. Часть 14-3. Полупроводниковые датчики. Датчики давления.
GSO IEC 60747-14-4:2014 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 14-4. Полупроводниковые акселерометры.
OS GSO IEC 60747-14-1:2014 Полупроводниковые устройства. Часть 14-1. Полупроводниковые датчики. Общие спецификации датчиков.
GSO IEC 60747-14-1:2014 Полупроводниковые устройства. Часть 14-1. Полупроводниковые датчики. Общие спецификации датчиков.

Defense Logistics Agency, высокотемпературный полупроводниковый прибор

DLA MIL-S-19500/230 C VALID NOTICE 4-2011 Полупроводниковый прибор, диод, кремниевый, с высокой проводимостью, тип JAN-1N3207
DLA DSCC-DWG-04029-2005 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ТРАНЗИСТОР, NPN, КРЕМНИЙ, ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ ТИПА 2N5927
DLA DSCC-DWG-04030-2005 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ТРАНЗИСТОР, NPN, КРЕМНИЙ, ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ ТИПА 2N5926
DLA DESC-DWG-84002-1984 РАДИАТОРЫ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
DLA MIL-S-19500/9 B VALID NOTICE 3-2011 Полупроводниковый прибор, транзистор, PNP, германий, высокочастотный, 25 милливатт, тип JAN-2N128
DLA MIL-S-19500/335 VALID NOTICE 4-2011 Полупроводниковый прибор, кремниевый, опорное напряжение (стабильный к температуре) Тип 1N430A, 1N430B
DLA MIL-PRF-19500/622 C-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ТРАНЗИСТОР, NPN, КРЕМНИевый, ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ ТИПА 2N7368 JAN, JANTX, JANTXV И JANS
DLA QML-19500-QPD-2010 Полупроводниковые приборы. Общие технические характеристики
DLA QML-19500-2012 Полупроводниковые приборы. Общие технические характеристики
DLA MIL-PRF-19500/622 D-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ТРАНЗИСТОР, NPN, КРЕМНИевый, ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ ТИПА 2N7368 JAN, JANTX, JANTXV И JANS
DLA QML-19500-QPD-2012 Полупроводниковые приборы. Общие технические характеристики
DLA MIL-S-19500/529 VALID NOTICE 4-2011 Полупроводниковый прибор, транзистор, кремниевый тип 2N3904

CZ-CSN, высокотемпературный полупроводниковый прибор

CSN 35 8701-1975 Терминология полупроводников и полупроводниковых приборов
CSN 35 1560-1969 Силовые полупроводниковые выпрямители
CSN 34 5910-1986 Золотая проволока для полупроводниковых приборов

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), высокотемпературный полупроводниковый прибор

KS C IEC 60749-6-2020 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
KS C IEC 60749-6:2020 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
KS C IEC 60749-6:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
KS C IEC 60749-23:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
KS C IEC 60749-23-2006(2016) Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
KS C IEC 60749-23:2021 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
KS C IEC 60749-23-2021 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
KS C IEC 60747-14-1:2021 Полупроводниковые устройства. Часть 14-1. Полупроводниковые датчики. Общие спецификации датчиков.
KS C IEC 60747-14-1:2003 Полупроводниковые приборы. Часть 14. 1. Полупроводниковые датчики. Общие сведения и классификация.
KS C IEC 60747-14-1-2021 Полупроводниковые устройства. Часть 14-1. Полупроводниковые датчики. Общие спецификации датчиков.
KS C IEC PAS 62240-2008(2018) Использование полупроводниковых приборов за пределами указанного производителем температурного диапазона.

Comitato Elettrotecnico Italiano, высокотемпературный полупроводниковый прибор

CEI EN 60749-6:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
CEI EN 60747-15:2012 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 15. Изолированные силовые полупроводниковые приборы.
CEI EN 60749-23/A1:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
CEI EN 60749-23:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.

Danish Standards Foundation, высокотемпературный полупроводниковый прибор

DS/EN 60749-6:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
DS/EN 60749-6/Corr.1:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
DANSK DS/EN 60749-6:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
DS/EN 60747-15:2012 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 15. Изолированные силовые полупроводниковые приборы.
DANSK DS/EN 60747-15:2012 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 15. Изолированные силовые полупроводниковые приборы.
DANSK DS/EN 60749-23/A1:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
DS/EN 60749-23:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
DS/EN 60749-23/A1:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
DANSK DS/EN 60749-23:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.

Military Standards (MIL-STD), высокотемпературный полупроводниковый прибор

MIL MIL-S-19500/340-1965 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ТРАНЗИСТОР, PNP, ГЕРМАНИЯ, ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ ТИПА 2N2079A
MIL MIL-DTL-19491J-2014 Полупроводниковые приборы, упаковка
MIL MIL-S-19500/465-1972 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ДИОД, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬ В СБОРЕ, ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ (НЕ ДОКУМЕНТ ПО S/S)
MIL MIL-PRF-19500/370J-2018 Полупроводниковый прибор, транзистор, NPN, кремниевый, высокой мощности, тип 2N3442, JAN, JANTX и JANTXV
MIL MIL-PRF-19500/370H-2013 Полупроводниковый прибор, транзистор, NPN, кремниевый, высокой мощности, тип 2N3442, JAN, JANTX и JANTXV
MIL MIL-S-19500/335-1965 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР КРЕМНИЕВЫЙ, ОПОРНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ (ТЕМПЕРАТУРНОСТАБИЛЬНЫЙ) ТИПА 1N430A, 1N430B
MIL MIL-PRF-19500/102C-2020 Полупроводниковые приборы, транзисторы, NPN, кремниевые, высокомощные типы 2N1016B, 2N1016C и 2N1016D ЯНВАРЬ
MIL MIL-PRF-19500/102B-2013 Полупроводниковые приборы, транзисторы, NPN, кремниевые, высокомощные типы 2N1016B, 2N1016C и 2N1016D ЯНВАРЬ

Association Francaise de Normalisation, высокотемпературный полупроводниковый прибор

NF EN 60749-6:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высоких температурах.
NF C96-022-6*NF EN 60749-6:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
NF EN 60747-15:2013 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 15. Изолированные полупроводниковые силовые устройства.
NF C96-015*NF EN 60747-15:2013 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 15. Изолированные силовые полупроводниковые приборы.
NF C96-022-23/A1*NF EN 60749-23/A1:2012 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
NF C96-022-23*NF EN 60749-23:2004 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
NF C96-015:2005 Дискретные полупроводниковые приборы. Часть 15. Изолированные силовые полупроводниковые приборы.
NF EN 60749-23/A1:2012 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
NF EN 60749-23:2004 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
NF C96-013-6-16*NF EN 60191-6-16:2013 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16: глоссарий по тестированию полупроводников и розеткам для обжига для BGA, LGA, FBGA и FLGA.
NF C86-010:1986 Полупроводниковые приборы. Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Дискретные полупроводниковые приборы. Общая спецификация.

Spanish Association for Standardization (UNE), высокотемпературный полупроводниковый прибор

UNE-EN 60749-6:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
UNE-EN 60747-15:2012 Полупроводниковые устройства. Дискретные устройства. Часть 15. Изолированные силовые полупроводниковые устройства (одобрено AENOR в июне 2012 г.).
UNE-EN 60749-23:2005 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
UNE-EN 60749-23:2005/A1:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.

HU-MSZT, высокотемпературный полупроводниковый прибор

MNOSZ 700-10.lap-1955 STMicroelectronics — это очень высокотемпературная дистилляция.

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, высокотемпературный полупроводниковый прибор

EN 60749-6:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
EN 60747-15:2012 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 15. Изолированные силовые полупроводниковые приборы.
EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)

TH-TISI, высокотемпературный полупроводниковый прибор

TIS 1863-2009 Полупроводниковые приборы.Дискретные устройства

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, высокотемпературный полупроводниковый прибор

EN 60747-15:2004 Дискретные полупроводниковые приборы. Часть 15. Изолированные силовые полупроводниковые приборы.

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, высокотемпературный полупроводниковый прибор

GB/T 15651.4-2017 Полупроводниковые устройства. Дискретные устройства. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры.

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, высокотемпературный полупроводниковый прибор

GJB/Z 41.3-1993 Военные полупроводниковые дискретные устройства, спектральные полупроводниковые оптоэлектронные устройства
GJB/Z 41.7-1993 Серия военных полупроводниковых дискретных устройств, спектральные термоэлектрические охлаждающие компоненты

Standard Association of Australia （SAA）, высокотемпературный полупроводниковый прибор

AS C379.1:1970 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов - Подготовка чертежей полупроводниковых приборов

Underwriters Laboratories (UL), высокотемпературный полупроводниковый прибор

UL 1557-1993 Электрически изолированные полупроводниковые приборы
UL 1557-2011 Электрически изолированные полупроводниковые приборы
UL 1557-1997 Электрически изолированные полупроводниковые приборы
UL 1557-2006 Стандарт UL по безопасности электрически изолированных полупроводниковых устройств, четвертое издание; Перепечатка с изменениями до 26 июня 2006 г. включительно.

Professional Standard - Electron, высокотемпературный полупроводниковый прибор

SJ/T 10414-2015 Припой для полупроводниковых приборов
SJ/T 10414-1993 Припой для полупроводниковых приборов
SJ/Z 9021.1-1987 Механическая стандартизация полупроводниковых компонентов. Часть 1. Подготовка чертежей полупроводниковых компонентов.
SJ/T 10535-1994 Вольфрамовая лодочка для полупроводниковых приборов
SJ 50033/1-1994 Полупроводниковое дискретное устройство. Детальная спецификация высокочастотного и силового транзистора типа 3DA150.
SJ 50033/103-1996 Полупроводниковые дискретные устройства. Подробная спецификация высокочастотного силового транзистора типа 3DA89.

Lithuanian Standards Office , высокотемпературный полупроводниковый прибор

LST EN 60747-15-2012 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 15. Изолированные силовые полупроводниковые приборы (IEC 60747-15:2010)
LST EN 60749-6-2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре (IEC 60749-6:2002).

ESD - ESD ASSOCIATION, высокотемпературный полупроводниковый прибор

EP118-2007 Физика полупроводниковых приборов

IN-BIS, высокотемпературный полупроводниковый прибор

IS 5000 OD.35-1981 Размеры полупроводникового устройства Схема устройства OD35
IS 5000 OD.11-1971 Размеры полупроводникового устройства Схема устройства OD11
IS 5000 OD.4-1969 Размеры полупроводникового устройства Схема устройства OD4
IS 5000 OD.2-1969 Схема устройства размера полупроводникового устройства OD2
IS 5000 OD.16-1973 Схема устройства размера полупроводникового устройства OD16
IS 5000 OD.1-1969 Размеры полупроводникового устройства Схема устройства OD1
IS 5000 OD.6-1969 Схема устройства размера полупроводникового устройства OD6
IS 5000 OD.31-1981 Схема устройства полупроводникового устройства OD31
IS 5000 OD.30-1981 Схема устройства размера полупроводникового устройства OD30
IS 5000 OD.10-1971 Схема устройства размера полупроводникового устройства OD1O
IS 5000 OD.9-1969 Схема устройства размера полупроводникового устройства OD9
IS 5000 OD.13-1971 Схема устройства размера полупроводникового устройства OD13
IS 5000 OD.18-1974 Схема устройства размера полупроводникового устройства OD18
IS 5000 OD.15-1973 Схема устройства размера полупроводникового устройства OD15
IS 5000 OD.8-1969 Размеры полупроводникового устройства Схема устройства OD8
IS 5000 OD.19-1974 Размеры полупроводникового устройства Схема устройства OD19
IS 5000 OD.14-1971 Размеры полупроводникового устройства Схема устройства OD14

Group Standards of the People's Republic of China, высокотемпературный полупроводниковый прибор

T/CASME 1438-2024 Спецификация обработки полупроводниковых устройств
T/IAWBS 009-2019 Испытание установившейся температуры и влажности с высоким напряжением смещения для силовых полупроводниковых приборов

Gosstandart of Russia, высокотемпературный полупроводниковый прибор

GOST R 57439-2017 Полупроводниковые приборы. Основные размеры

Professional Standard - Machinery, высокотемпературный полупроводниковый прибор

JB/T 4277-1996 Упаковка силовых полупроводниковых деталей

Society of Automotive Engineers (SAE), высокотемпературный полупроводниковый прибор

SAE EIA4900-2016 Использование полупроводниковых приборов сторонних производителей' Указанные диапазоны температур