SAE J1752/3-2003
Измерение излучений интегральных микросхем TEM/Wideband TEM (GTEM) Cell Method; Ячейка TEM (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная ячейка TEM (от 150 кГц до 8 ГГц)

Стандартный №

SAE J1752/3-2003

Дата публикации

2003

Разместил

Society of Automotive Engineers (SAE)

состояние

снять со счета

быть заменен

SAE J1752/3-2011

Последняя версия

SAE J1752/3-2017

сфера применения

Эта процедура измерения определяет метод измерения электромагнитного излучения интегральной схемы (ИС). Оцениваемая микросхема монтируется на испытательную печатную плату (PCB) микросхемы, которая крепится к ответному порту (называемому настенным портом), вырезанному в верхней или нижней части ячейки TEM или широкополосной TEM (GTEM). Тестовая плата не находится в ячейке, как при обычном использовании, а становится частью стенки ячейки. Этот метод применим к любой ячейке TEM или GTEM, модифицированной для включения настенного порта; однако на измеренное ВЧ-напряжение влияет расстояние между перегородкой и тестовой платой (стеной). Эта процедура была разработана с использованием ячейки TEM 1 ГГц с расстоянием между перегородкой и стенкой 45 мм и ячейки GTEM со средним расстоянием между перегородкой и стенкой 45 мм по площади порта. Другие ячейки могут не давать идентичного спектрального выходного сигнала, но могут использоваться для сравнительных измерений с учетом их ограничений по частоте и чувствительности. Коэффициент преобразования может позволить сравнивать данные, измеренные на ячейках TEM или GTEM с различным расстоянием между перегородками и стенками. Плата тестирования ИС контролирует геометрию и ориентацию рабочей ИС относительно ячейки и исключает любые соединительные выводы внутри ячейки (они находятся на задней стороне платы, которая находится за пределами ячейки). Для ячейки TEM один из 50-омных портов оканчивается нагрузкой 50-мкм. Другой 50-омный порт для ячейки TEM или единственный 50-омный порт для ячейки GTEM подключается ко входу анализатора спектра или приемника, который измеряет радиочастотное излучение, исходящее от ИС, и подключается к перегородке ячейки TEM. .

SAE J1752/3-2003 История

• 2017 SAE J1752/3-2017 Измерение излучаемого излучения интегральных схем — метод ячейки TEM/широкополосной TEM (GTEM); Ячейка TEM (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная ячейка TEM (от 150 кГц до 8 ГГц)
• 2011 SAE J1752/3-2011 Измерение излучаемых излучений от интегральных микросхем TEM/Wideband TEM (GTEM) Cell Method; Ячейка TEM (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная ячейка TEM (от 150 кГц до 8 ГГц)
• 2003 SAE J1752/3-2003 Измерение излучений интегральных микросхем TEM/Wideband TEM (GTEM) Cell Method; Ячейка TEM (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная ячейка TEM (от 150 кГц до 8 ГГц)
• 1995 SAE J1752/3-1995 Измерение излучаемых излучений интегральных схем – метод ячеек Tem/Wideband Tem (Gtem); Tem Cell (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная Tem Cell (от 150 кГц до 8 ГГц)

SAE J1752/3-2003 - Все части