SAE J1752/3-2011 Измерение излучаемых излучений от интегральных микросхем TEM/Wideband TEM (GTEM) Cell Method; Ячейка TEM (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная ячейка TEM (от 150 кГц до 8 ГГц)
Эта процедура измерения определяет метод измерения электромагнитного излучения интегральной схемы (ИС). Оцениваемая микросхема монтируется на испытательную печатную плату (PCB) микросхемы, которая крепится к ответному порту (называемому настенным портом), вырезанному в верхней или нижней части ячейки TEM или широкополосной TEM (GTEM). Тестовая плата не находится в ячейке, как при обычном использовании, а становится частью стенки ячейки. Этот метод применим к любой ячейке TEM или GTEM, модифицированной для включения настенного порта; однако на измеренное ВЧ-напряжение влияет расстояние между перегородкой и тестовой платой (стеной). Эта процедура была разработана с использованием ячейки TEM 1 ГГц с расстоянием между перегородкой и стенкой 45 мм и ячейки GTEM со средним расстоянием между перегородкой и стенкой 45 мм по площади порта. Другие ячейки могут не давать идентичного спектрального выходного сигнала, но могут использоваться для сравнительных измерений с учетом их ограничений по частоте и чувствительности. Коэффициент преобразования может позволить сравнивать данные, измеренные на ячейках TEM или GTEM с различным расстоянием между перегородками и стенками. Плата тестирования ИС контролирует геометрию и ориентацию рабочей ИС относительно ячейки и исключает любые соединительные выводы внутри ячейки (они находятся на задней стороне платы, которая находится за пределами ячейки). Для ячейки TEM один из портов 50 Ом завершается нагрузкой 50 Ом. Другой порт 50 Ом для ячейки TEM или единственный порт 50 Ом для ячейки GTEM подключается ко входу анализатора спектра или приемника, который измеряет радиочастотное излучение, исходящее от ИС, и подключается к перегородке ячейки TEM. .
SAE J1752/3-2011 Ссылочный документ
IEC 61967 Интегральные схемы. Измерение электромагнитного излучения. Часть 8. Измерение излучаемого излучения. Метод полосковой линии ИС.*， 2023-05-03 Обновление
SAE J1752/1-2006 Процедуры измерения электромагнитной совместимости интегральных схем. Процедуры измерения ЭМС интегральных схем. Общие положения и определения.
SAE J1752/3-2011 История
0000 SAE J1752/3_201709
2017SAE J1752/3-2017 Измерение излучаемого излучения интегральных схем — метод ячейки TEM/широкополосной TEM (GTEM); Ячейка TEM (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная ячейка TEM (от 150 кГц до 8 ГГц)
0000 SAE J1752/3_201106
2011SAE J1752/3-2011 Измерение излучаемых излучений от интегральных микросхем TEM/Wideband TEM (GTEM) Cell Method; Ячейка TEM (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная ячейка TEM (от 150 кГц до 8 ГГц)
0000 SAE J1752/3_200301
2003SAE J1752/3-2003 Измерение излучений интегральных микросхем TEM/Wideband TEM (GTEM) Cell Method; Ячейка TEM (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная ячейка TEM (от 150 кГц до 8 ГГц)
0000 SAE J1752/3_199503
1995SAE J1752/3-1995 Измерение излучаемых излучений интегральных схем – метод ячеек Tem/Wideband Tem (Gtem); Tem Cell (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная Tem Cell (от 150 кГц до 8 ГГц)