SAE J1752/3-1995 Измерение излучаемых излучений интегральных схем – метод ячеек Tem/Wideband Tem (Gtem); Tem Cell (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная Tem Cell (от 150 кГц до 8 ГГц)
Эта процедура измерения определяет метод измерения электромагнитного излучения интегральной схемы (ИС). Оцениваемая микросхема монтируется на испытательную печатную плату (PCB) микросхемы, которая крепится к ответному порту (называемому настенным портом), вырезанному в верхней или нижней части ячейки TEM или широкополосной TEM (GTEM). Тестовая плата не находится в ячейке, как при обычном использовании, а становится частью стенки ячейки. Этот метод применим к любой ячейке TEM или GTEM, модифицированной для включения настенного порта; однако на измеренное ВЧ-напряжение влияет расстояние между перегородкой и тестовой платой (стеной). Эта процедура была разработана с использованием ячейки TEM 1 ГГц с расстоянием между перегородкой и стенкой 45 мм и ячейки GTEM со средним расстоянием между перегородкой и стенкой 45 мм по площади порта. Другие ячейки могут не давать идентичного спектрального выходного сигнала, но могут использоваться для сравнительных измерений с учетом их ограничений по частоте и чувствительности.
SAE J1752/3-1995 История
2017SAE J1752/3-2017 Измерение излучаемого излучения интегральных схем — метод ячейки TEM/широкополосной TEM (GTEM); Ячейка TEM (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная ячейка TEM (от 150 кГц до 8 ГГц)
2011SAE J1752/3-2011 Измерение излучаемых излучений от интегральных микросхем TEM/Wideband TEM (GTEM) Cell Method; Ячейка TEM (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная ячейка TEM (от 150 кГц до 8 ГГц)
2003SAE J1752/3-2003 Измерение излучений интегральных микросхем TEM/Wideband TEM (GTEM) Cell Method; Ячейка TEM (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная ячейка TEM (от 150 кГц до 8 ГГц)
1995SAE J1752/3-1995 Измерение излучаемых излучений интегральных схем – метод ячеек Tem/Wideband Tem (Gtem); Tem Cell (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная Tem Cell (от 150 кГц до 8 ГГц)