SAE J1752/3_201709
Измерение излучаемых излучений от интегральных схем — метод ячейки TEM/широкополосной TEM (GTEM); ячейка TEM (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная ячейка TEM (от 150 кГц до 8 ГГц)

Введение: Данный стандарт определяет методику измерения воздействия излучения на интегральные схемы с использованием метода Gtem. Он описывает процедуры для определения температурных характеристик и широкополосного температурного измерения в диапазоне частот от 150 кГц до 1 ГГц и до 8 ГГц. Стандарт включает требования к использованию специализированных устройств, таких как Tem Cell, и предоставляет рекомендации по проведению тестирования в условиях, соответствующих реальным условиям эксплуатации. Также рассматриваются методы измерения и анализа данных, полученных в ходе тестирования.

*** Обратите внимание: это описание может быть неточным, обратитесь к официальной документации.

SAE J1752/3_201709 История

0000 SAE J1752/3_201709
2017 SAE J1752/3-2017 Измерение излучаемого излучения интегральных схем — метод ячейки TEM/широкополосной TEM (GTEM); Ячейка TEM (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная ячейка TEM (от 150 кГц до 8 ГГц)
0000 SAE J1752/3_201106
2011 SAE J1752/3-2011 Измерение излучаемых излучений от интегральных микросхем TEM/Wideband TEM (GTEM) Cell Method; Ячейка TEM (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная ячейка TEM (от 150 кГц до 8 ГГц)
0000 SAE J1752/3_200301
2003 SAE J1752/3-2003 Измерение излучений интегральных микросхем TEM/Wideband TEM (GTEM) Cell Method; Ячейка TEM (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная ячейка TEM (от 150 кГц до 8 ГГц)
0000 SAE J1752/3_199503
1995 SAE J1752/3-1995 Измерение излучаемых излучений интегральных схем – метод ячеек Tem/Wideband Tem (Gtem); Tem Cell (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная Tem Cell (от 150 кГц до 8 ГГц)