IEC 60747-3:2013 Полупроводниковые приборы. Часть 3. Дискретные устройства. Сигнальные, переключающие и регуляторные диоды. - Стандарты и спецификации PDF

IEC 60747-3:2013
Полупроводниковые приборы. Часть 3. Дискретные устройства. Сигнальные, переключающие и регуляторные диоды.

Стандартный №
IEC 60747-3:2013
Дата публикации
2013
Разместил
International Electrotechnical Commission (IEC)
Последняя версия
IEC 60747-3:2013
заменять
IEC 47E/453/FDIS:2013 IEC 60747-3:1985 IEC 60747-3 AMD 1:1991 IEC 60747-3 AMD 2:1993
 

сфера применения
В этой части IEC 60747 предъявляются требования к следующим устройствам: сигнальные диоды ?C (за исключением диодов, предназначенных для работы на частотах выше нескольких сотен МГц); ?С переключающие диоды (кроме мощных выпрямительных диодов); ?С диоды-стабилизаторы напряжения; ?C диоды опорного напряжения; ?C диоды-стабилизаторы тока.

IEC 60747-3:2013 История

  • 2013 IEC 60747-3:2013 Полупроводниковые приборы. Часть 3. Дискретные устройства. Сигнальные, переключающие и регуляторные диоды.
  • 1993 IEC 60747-3:1985/AMD2:1993 Поправка 2. Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 3. Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды.
  • 1991 IEC 60747-3:1985/AMD1:1991 Поправка 1. Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 3. Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды.
  • 1985 IEC 60747-3:1985 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 3: Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды.
Полупроводниковые приборы. Часть 3. Дискретные устройства. Сигнальные, переключающие и регуляторные диоды.

стандарты и спецификации

GSO IEC 60747-3:2014 приборы. Часть 3. Дискретные устройства. Сигнальные, переключающие и регуляторные диоды. BH GSO IEC 60747-3:2016 приборы. Часть 3. Дискретные устройства. Сигнальные, переключающие и регуляторные диоды. DS/IEC 747-3:1993 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства и интегральные схемы. Часть 3. Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды SJ 20274-1993 Полупроводниковые дискретные устройства Детальная спецификация кремниевого переключающего диода типа 2СК84 IS 3700 Pt.2-1972 Основные номиналы и характеристики полупроводниковых приборов. Часть II. Сигналы малой мощности D3ODES GJB 128B-2021 Методы испытаний полупроводниковых дискретных устройств ANSI/EIA 370-B:1992 Полупроводниковые приборы, система обозначений NF C96-011:1989 Электронные компоненты. Полупроводниковые приборы. Часть 11. Технические характеристики дискретных устройств IEEE C62.42.3-2017 Руководство по применению компонентов защиты от перенапряжений в устройствах защиты от перенапряжений и портах оборудования. Часть 3: Кремниевый PN-переход



© 2025. Все права защищены.