GJB 128B-2021
Методы испытаний полупроводниковых дискретных устройств (Англоязычная версия)
- Стандартный №
- GJB 128B-2021
- язык
- Китайский, Доступно на английском
- Дата публикации
- 2021
- Разместил
- Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department
- Последняя версия
- GJB 128B-2021
- сфера применения
- Настоящий стандарт устанавливает общие методы испытаний дискретных полупроводниковых приборов (далее именуемых приборами), включая основные климатические испытания, механические (физические) испытания и электрические испытания для определения способности прибора противостоять вредному воздействию природной среды и условий эксплуатации в военных условиях. Настоящий стандарт распространяется на дискретные полупроводниковые приборы военного назначения, включая транзисторы, диоды и другие сопутствующие компоненты. Для справки можно использовать и другие компоненты.
GJB 128B-2021 Ссылочный документ
- GB/T 3131-2001 Оловянно-свинцовый припой
- GJB 1209 Методы испытаний и процедуры сертификации линеек микросхем
- GJB 2712 Требования к обеспечению качества средств измерений Система метрологического подтверждения
- GJB 3007 Технические требования к антистатическим рабочим местам
- GJB 360B-2009 Методы испытаний электронных и электрических компонентов
- GJB 762.1-1989 Метод испытания на радиационную стойкость полупроводниковых приборов Испытание нейтронным облучением
- GJB 762.3-1989 Метод испытания на радиационную закалку полупроводниковых устройств γ, испытание на мгновенное облучение
- GJB/Z 105 Руководство по контролю антистатических разрядов электронных изделий
GJB 128B-2021 История
- 2021 GJB 128B-2021 Методы испытаний полупроводниковых дискретных устройств
- 1997 GJB 128A-1997 Методы испытаний полупроводниковых дискретных устройств
- 1986 GJB 128-1986 Спецификация аэрофотосъемки для военного топографического картографирования
Специальные темы по стандартам и нормам
Метод испытания микросхем
Метод испытания микросхем
Полный текст стандарта gjb451b-2021
Метод анализа состава газа
полупроводниковое излучение
Методы испытаний полупроводниковых дискретных устройств
Испытание нейтронным облучением
Полупроводниковые компоненты
полупроводниковый элемент
полупроводниковый тест
стандарты и спецификации
JB/T 10261-2001 Провода и кабели с поливинилхлоридной изоляцией и нейлоновой оболочкой на номинальное напряжение до 450/750 В включительно.
GJB 4027A-2006 Методы разрушающего физического анализа компонентов военной электроники
GJB 360B-2009 Методы испытаний электронных и электрических компонентов
GJB 733B-2011 Общие технические условия на нетвердоэлектролитные фиксированные танталовые конденсаторы с установленной надежностью
GJB 2649A-2011 Планы и процедуры отбора проб для военных электронных компонентов
GJB 937A-2021 Метод измерения магнитной проницаемости слабомагнитных материалов
GJB 128A-1997 Методы испытаний полупроводниковых дискретных устройств
GJB 4027B-2021 Метод разрушающего физического анализа компонентов военной электроники.
QJ 3086A-2016 Высоконадежная пайка для поверхностного и смешанного монтажа печатных плат
GB/T 42125.2-2024 Требования безопасности к электрооборудованию для измерения, контроля и лабораторного использования. Часть 2. Частные требования к лабораторному оборудованию для нагрева материалов
GJB 65C-2021 Общие технические условия на электромагнитные реле с классами эффективности отказов
GJB 3404-1998 Требования к выбору и управлению электронными компонентами
T/CHEAA 0018-2021 Электрическая машина для мытья полов бытового и аналогичного назначения
GJB 33B-2021 Общие спецификации полупроводниковых дискретных устройств
GJB 33A-1997 Общие спецификации полупроводниковых дискретных устройств
GJB 548C-2021 Методы и процедуры испытаний микроэлектронных устройств
GJB 10163-2021 Метод испытаний для классификации чувствительности к влаге интегральных схем в пластиковых корпусах
GJB 179A-1996 Процедуры и таблицы выборочного контроля подсчета
GJB 128-1986 Спецификация аэрофотосъемки для военного топографического картографирования