IEC 60747-3:1985/AMD1:1991 Поправка 1. Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 3. Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды. - Стандарты и спецификации PDF

IEC 60747-3:1985/AMD1:1991
Поправка 1. Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 3. Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды.

Стандартный №
IEC 60747-3:1985/AMD1:1991
Дата публикации
1991
Разместил
International Electrotechnical Commission (IEC)
состояние
быть заменен
IEC 60747-3:1985/AMD2:1993
Последняя версия
IEC 60747-3:2013
заменять
31.080.10
 

Введение
Данный документ представляет собой первый поправочный элемент к международному стандарту в области полупроводниковых приборов, конкретно касающемуся раздельных полупроводниковых устройств. Он дополняет базовую часть третьей серии нормативных материалов, регулирующих параметры и характеристики диодов сигнального назначения, а также диодов, работающих в режиме переключения и стабилитронов. Поправка была разработана для актуализации технических требований и обеспечения согласованности с современными методами испытаний и критериями приемки. В документе детально описаны процедуры испытаний для указанных типов диодов, уточнены допустимые значения электрических параметров и условия их измерения при различных температурах окружающей среды. Данный материал служит дополнением к исходной версии издания, вышедшему в середине прошлого десятилетия, и вводится в действие для гармонизации стандартов на международном уровне. Он обеспечивает единый подход к классификации и тестированию компонентов, используемых в электронике, способствуя улучшению качества продукции и совместимости компонентов разных производителей.

IEC 60747-3:1985/AMD1:1991 История

  • 2013 IEC 60747-3:2013 Полупроводниковые приборы. Часть 3. Дискретные устройства. Сигнальные, переключающие и регуляторные диоды.
  • 1993 IEC 60747-3:1985/AMD2:1993 Поправка 2. Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 3. Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды.
  • 1991 IEC 60747-3:1985/AMD1:1991 Поправка 1. Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 3. Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды.
  • 1985 IEC 60747-3:1985 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 3: Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды.

стандарты и спецификации

DS/IEC 747-3:1993 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства и интегральные схемы. Часть 3. Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды IEC 60147-1:1963 Основные номиналы и характеристики полупроводниковых приборов и общие принципы методов измерения. Часть 1. Основные номиналы и характеристики GJB 128B-2021 Методы испытаний полупроводниковых дискретных устройств ANSI/EIA 370-B:1992 Полупроводниковые приборы, система обозначений GSO IEC 60749-8:2014 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 8. Герметизация IEEE PC62.42.3/D2, October 2016 Утвержденный IEEE проект руководства по применению компонентов защиты от перенапряжений в устройствах защиты от перенапряжений и портах оборудования. Часть 3 IEEE Std C62.42.3-2017 Руководство IEEE по применению компонентов защиты от перенапряжений в устройствах защиты от перенапряжений и портах оборудования. Часть 3: Кремниевый PN-переход IEC 60747-5-2:1997 Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные схемы. Часть 5-2. Оптоэлектронные устройства. Основные номинальные характеристики и характеристики IEC 60191-6:2004 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов



© 2026. Все права защищены.