BH GSO IEC 60747-3:2016 Полупроводниковые приборы. Часть 3. Дискретные устройства. Сигнальные, переключающие и регуляторные диоды. - Стандарты и спецификации PDF

BH GSO IEC 60747-3:2016
Полупроводниковые приборы. Часть 3. Дискретные устройства. Сигнальные, переключающие и регуляторные диоды.

Стандартный №
BH GSO IEC 60747-3:2016
Дата публикации
2016
Разместил
Kingdom of Bahrain Testing and Metrology Directorate
Последняя версия
BH GSO IEC 60747-3:2016
 

Введение
Данный стандарт относится к семейству стандартов по半导体器件,特别是分立器件中的信号、开关和稳压二极管。作为IEC 60747系列的一部分,该标准提供了这些元件的技术规格和测试方法。它为制造商、供应商和用户提供了明确的指导,确保产品的质量和一致性。本标准于2016年发布,由巴林国家计量局根据国际电工委员会的标准进行本地化。

BH GSO IEC 60747-3:2016 История

  • 2016 BH GSO IEC 60747-3:2016 Полупроводниковые приборы. Часть 3. Дискретные устройства. Сигнальные, переключающие и регуляторные диоды.

стандарты и спецификации

GSO IEC 60747-3:2014 приборы. Часть 3. Дискретные устройства. Сигнальные, переключающие и регуляторные диоды. IEC 60747-3:2013 Полупроводниковые приборы. Часть 3. Дискретные устройства. Сигнальные, переключающие и регуляторные диоды. DS/IEC 747-3:1993 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства и интегральные схемы. Часть 3. Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды SJ 20274-1993 Полупроводниковые дискретные устройства Детальная спецификация кремниевого переключающего диода типа 2СК84 IS 3700 Pt.2-1972 Основные номиналы и характеристики полупроводниковых приборов. Часть II. Сигналы малой мощности D3ODES ANSI/EIA 370-B:1992 Полупроводниковые приборы, система обозначений GJB 128B-2021 Методы испытаний полупроводниковых дискретных устройств NF C96-011:1989 Электронные компоненты. Полупроводниковые приборы. Часть 11. Технические характеристики дискретных устройств IEEE C62.42.3-2017 Руководство по применению компонентов защиты от перенапряжений в устройствах защиты от перенапряжений и портах оборудования. Часть 3: Кремниевый PN-переход



© 2025. Все права защищены.