BS EN 60749-19:2003
Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Прочность матрицы на сдвиг.

Стандартный №

BS EN 60749-19:2003

Дата публикации

2003

Разместил

British Standards Institution (BSI)

состояние

быть заменен 2003-06

быть заменен

BS EN 60749-19:2003+A1:2010

Последняя версия

BS EN 60749-19:2003+A1:2010

сфера применения

Эта часть IEC 60749 определяет (см. примечание) целостность материалов и процедур, используемых для крепления полупроводникового кристалла к заголовкам корпуса или другим подложкам (для целей данного метода испытаний термин «полупроводниковый кристалл» следует понимать для включения пассивных элементов). . Этот метод испытаний обычно применим только для полых упаковок или в качестве монитора процесса. Он не применим для участков матрицы размером более 10 мм. Он также неприменим к технологии флип-чипов или гибким подложкам. П р и м е ч а н и е — Это определение основано на измерении силы, приложенной к штампу или элементу, и, в случае возникновения отказа, на типе разрушения, возникающего в результате приложения силы, а также на внешнем виде остаточной среды крепления штампа и заголовка. /металлизация подложки.

BS EN 60749-19:2003 История

• 2003 BS EN 60749-19:2003+A1:2010 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Умереть прочность на сдвиг
• 2003 BS EN 60749-19:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Прочность матрицы на сдвиг.

Специальные темы по стандартам и нормам

стандарты и спецификации