DS/EN 60749-19:2003
Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Прочность матрицы на сдвиг.

Стандартный №

DS/EN 60749-19:2003

Дата публикации

2003

Разместил

Danish Standards Foundation

состояние

быть заменен 2010-12

быть заменен

DS/EN 60749-19/A1:2010

Последняя версия

DS/EN 60749-19/A1:2010

сфера применения

Эта часть 60749 определяет (см. примечание) целостность материалов и процедур, используемых для крепления полупроводникового кристалла к заголовкам корпуса или другим подложкам (для целей данного метода испытаний термин «полупроводниковый кристалл» следует понимать как включающий пассивные элементы). ) Этот метод испытаний обычно применим только к полым упаковкам или в качестве монитора процесса. Это не применимо для площадей матрицы более 10 мм2. он также неприменим к технологии флип-чипов или гибким подложкам.

DS/EN 60749-19:2003 История

• 2010 DS/EN 60749-19/A1:2010 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Прочность матрицы на сдвиг.
• 2003 DS/EN 60749-19:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Прочность матрицы на сдвиг.

стандарты и спецификации