SAE J1752/3_201106 Измерение излучаемых излучений от интегральных схем — метод ячейки TEM/широкополосной TEM (GTEM); ячейка TEM (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная ячейка TEM (от 150 кГц до 8 ГГц) - Стандарты и спецификации PDF

SAE J1752/3_201106
Измерение излучаемых излучений от интегральных схем — метод ячейки TEM/широкополосной TEM (GTEM); ячейка TEM (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная ячейка TEM (от 150 кГц до 8 ГГц)

Стандартный №
SAE J1752/3_201106
Дата публикации
2011
Разместил
Society of Automotive Engineers (SAE)
состояние
быть заменен
SAE J1752/3-2017
Последняя версия
SAE J1752/3_201709
 

Введение
Стандарт определяет методику измерения воздействия радиации на интегральные схемы с использованием температурного метода широкополосного температурного ячейки. Он описывает процесс тестирования, включая параметры измерений и условия проведения испытаний. В стандарте указаны диапазоны частот, которые подлежат проверке, а также требования к оборудованию и процедурам. Документ предоставляет рекомендации по выполнению измерений, обеспечивающие согласованность и воспроизводимость результатов. Стандарт также включает требования к калибровке и проверке средств измерения. Он предназначен для применения в соответствующих отраслях, где требуется точное определение влияния радиации на электронные компоненты.

SAE J1752/3_201106 История

  • 0000 SAE J1752/3_201709
  • 2017 SAE J1752/3-2017 Измерение излучаемого излучения интегральных схем — метод ячейки TEM/широкополосной TEM (GTEM); Ячейка TEM (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная ячейка TEM (от 150 кГц до 8 ГГц)
  • 0000 SAE J1752/3_201106
  • 2011 SAE J1752/3-2011 Измерение излучаемых излучений от интегральных микросхем TEM/Wideband TEM (GTEM) Cell Method; Ячейка TEM (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная ячейка TEM (от 150 кГц до 8 ГГц)
  • 0000 SAE J1752/3_200301
  • 2003 SAE J1752/3-2003 Измерение излучений интегральных микросхем TEM/Wideband TEM (GTEM) Cell Method; Ячейка TEM (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная ячейка TEM (от 150 кГц до 8 ГГц)
  • 0000 SAE J1752/3_199503
  • 1995 SAE J1752/3-1995 Измерение излучаемых излучений интегральных схем – метод ячеек Tem/Wideband Tem (Gtem); Tem Cell (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная Tem Cell (от 150 кГц до 8 ГГц)

стандарты и спецификации

SAE J1752/3-2017 излучаемого излучения интегральных схемметод ячейки TEM/широкополосной TEM (GTEM); Ячейка TEM (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная ячейка TEM (от 150 кГц до 8 ГГц) SAE J1752-3-2011 Измерение излучаемого излучения интегральных схемметод ячейки TEM/широкополосной TEM (GTEM); Ячейка TEM (от 150 кГц до 1 ГГц) @ Широкополосная ячейка TEM (от 150 кГц до 8 ГГц) SAE J1752/3_200301 Измерение излучаемых излучений от интегральных схемметод ячейки TEM/широкополосной TEM (GTEM); ячейка TEM (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная ячейка TEM (от 150 кГц до 8 ГГц) SAE J1752/3_201709 Измерение излучаемых излучений от интегральных схемметод ячейки TEM/широкополосной TEM (GTEM); ячейка TEM (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная ячейка TEM (от 150 кГц до 8 ГГц) SAE J1752/3-2011 Измерение излучаемых излучений от интегральных микросхем TEM/Wideband TEM (GTEM) Cell Method; Ячейка TEM (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная ячейка TEM SAE J1752/3-2003 Измерение излучений интегральных микросхем TEM/Wideband TEM (GTEM) Cell Method; Ячейка TEM (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная ячейка TEM (от 150 кГц до 8 ГГц SAE J1752/3-1995 Измерение излучаемых излучений интегральных схем – метод ячеек Tem/Wideband Tem (Gtem); Tem Cell (от 150 кГц до 1 ГГц), широкополосная Tem Cell (от 150 кГц до 8 GSO IEC 61967-2:2015 Интегральные схемы. Измерение электромагнитного излучения в диапазоне от 150 кГц до 1 ГГц. Часть 2. Измерение излучаемых излучений. Метод TEM-ячейки IEC 61967-2:2005 Интегральные схемы. Измерение электромагнитного излучения в диапазоне от 150 кГц до 1 ГГц. Часть 2. Измерение излучаемых излучений. Метод TEM-ячейки



© 2025. Все права защищены.