Полупроводник + инфракрасное обнаружение
Полупроводник + инфракрасное обнаружение, Всего: 128 предметов.
В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Полупроводник + инфракрасное обнаружение, являются: Электронные компоненты в целом, Оптоэлектроника. Лазерное оборудование, Полупроводниковые приборы, Строительные материалы, Полупроводниковые материалы, Аналитическая химия, Атомная энергетика, Измерения радиации, Линейные и угловые измерения, Словари, Системы дорожного транспорта, Защита от преступности, Защита от огня, Железнодорожный подвижной состав, Неорганические химикаты, Судостроение и морские сооружения в целом, Лампы и сопутствующее оборудование, Электрические аксессуары, Электростанции в целом, Аэрокосмическое электрооборудование и системы.
(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Полупроводник + инфракрасное обнаружение
- JEDEC JEP78-1969 Относительные кривые спектрального отклика полупроводниковых инфракрасных детекторов
Professional Standard - Electron, Полупроводник + инфракрасное обнаружение
- SJ/T 11067-1996 Обычно используемая терминология для полупроводниковых фотоэлектрических материалов и пироэлектрических материалов в материалах для обнаружения инфракрасного излучения.
- SJ 2658.1-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Общие правила
- SJ 2757-1987 Метод измерения инфракрасным отражением концентрации носителей заряда в сильнолегированных полупроводниках
- SJ 2658.4-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения емкости
- SJ/T 2658.1-2015 Метод измерения полупроводниковых инфракрасных диодов. Часть 1: Общие сведения
- SJ 50033/41-1994 Подробная спецификация полупроводникового инфракрасного светодиода типа GR9414
- SJ 2658.2-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения прямого падения напряжения
- SJ 2658.3-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения обратного напряжения
- SJ/T 2658.4-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 4: Общая емкость.
- SJ 20744-1999 Общие правила спектрального анализа инфракрасного поглощения на концентрацию примесей в полупроводниковых материалах
- SJ 2658.10-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения модулированных широкополосных диодов
- SJ 2658.7-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения лучистого потока
- SJ/T 2658.6-2015 Метод измерения полупроводниковых инфракрасных диодов. Часть 6: Мощность излучения.
- SJ/T 2658.11-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 11: Время отклика
- SJ/T 2658.8-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 8: Интенсивность излучения.
- SJ/T 2658.5-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 5: Сопротивление последовательного соединения.
- SJ/T 2658.10-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 10. Полоса модуляции.
- SJ/T 2658.2-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 2: Прямое напряжение
- SJ/T 2658.7-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 7: Лучистый поток
- SJ 2658.6-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения выходной оптической мощности
- SJ 2658.8-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения нормальной яркости
- SJ 2658.5-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения прямого последовательного сопротивления
- SJ 2658.11-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения импульсных характеристик
- SJ 2658.12-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения пиковой длины волны излучения и полуширины спектра
- SJ/T 2658.16-2016 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 16: Эффективность фотоэлектрического преобразования.
- SJ 51206/1-1995 Подробная спецификация фотопроводящего инфракрасного детекторного модуля из сульфида свинца с дроссельным охлаждением для типа H20DJ1
- SJ 2658.9-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения пространственного распределения интенсивности и угла половинной интенсивности излучения
- SJ 53930/1-2002 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация инфракрасного диода типа GR8813
- SJ 50033/110-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на инфракрасный светодиод типа GR9413.
- SJ/T 2658.9-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 9. Пространственное распределение силы излучения и угла половинной интенсивности.
- SJ/T 2658.13-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 13: Температурный коэффициент мощности излучения.
- SJ 2658.13-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения температурного коэффициента выходной оптической мощности
- SJ 51206/2-1996 Детальная спецификация элементов типа 60H30DY2 60 с жидким азотным охлаждением, фотопроводящим инфракрасным детектором в теллуриде ртути, кадмия
- SJ/T 2658.3-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 3: Обратное напряжение и обратный ток.
- SJ 20388A-2016 Спецификация сапфирового окна для инфракрасного детектора
- SJ 20388-1993 Спецификация сапфирового окна для использования в инфракрасном детекторе
- SJ 20641-1997 Спецификация монокристаллов антимонида индия для использования в инфракрасных детекторах
- SJ 20437-1994 Спецификация на ломтик теллурида свинца и олова для использования в инфракрасном детекторе
- SJ 20438-1994 Методы измерения срезов теллурида свинца и олова для использования в инфракрасном детекторе
- SJ 20640-1997 Спецификация на срезы монокристаллов антимонида индия для использования в инфракрасных детекторах
- SJ 50033/114-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация позиционно-чувствительного детектора типа GD3283Y
Gosstandart of Russia, Полупроводник + инфракрасное обнаружение
- GOST 19834.4-1979 Полупроводниковые излучающие инфракрасные диоды. Методы измерения мощности излучения
- GOST 23448-1979 Полупроводниковые инфракрасные диоды. Основные размеры
- GOST 19834.5-1980 Полупроводниковые диоды, излучающие инфракрасное излучение. Метод измерения времени переключения импульсов излучения
- GOST 26222-1986 Полупроводниковые детекторы ионизирующего излучения. Методы измерения параметров
- GOST 18177-1981 Полупроводниковые детекторы ионизирующего излучения. Понятия и определения
- GOST 20766-1975 Полупроводниковые спектрометрические детекторы ионизирующего излучения. Типы и основные параметры
Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Полупроводник + инфракрасное обнаружение
- GJB 33/15-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация полупроводникового инфракрасного диода типа ВТ401.
- GJB 10187-2021 Терминология инфракрасного детектора
- GJB 1206/3-1994 Подробные спецификации фотопроводящих инфракрасных детекторов на основе сульфида свинца при комнатной температуре
- GJB 1206-1991 Общие характеристики инфракрасных детекторов
- GJB 1206/2-1994 Подробные спецификации на охлаждаемые компоненты инфракрасного детектора из фотопроводящего антимонида индия
- GJB 1788-1993 Метод испытания инфракрасного детектора
- GJB 1866-1994 Спецификация на пластины теллурида ртути-кадмия для инфракрасных детекторов
- GJB 2368-1995 Спецификация для охлаждаемых инфракрасных детекторов на основе сульфида свинца
- GJB 2345-1995 Спецификация для охлаждаемых инфракрасных детекторов на теллуриде ртути-кадмия
- GJB 2906-1997 Спецификация для инфракрасных детекторов сульфида свинца при комнатной температуре
- GJB 1785-1993 Метод испытаний пластин теллурида ртути-кадмия для инфракрасных детекторов
- GJB 2452-1995 Спецификация на монокристаллические пластины теллурида кадмия для инфракрасных детекторов
Professional Standard - Aerospace, Полупроводник + инфракрасное обнаружение
- QJ 1925-1990 Технические условия фотопроводящего инфракрасного детектора на антимониде индия 233К
- QJ 1279A-1995 Терминология инфракрасного искателя
- QJ 2333-1992 Технические характеристики 42-элементных инфракрасных детекторов на основе сульфида свинца
- QJ 1854-1990 Метод испытания инфракрасного искателя
Professional Standard - Building Materials, Полупроводник + инфракрасное обнаружение
- JC/T 439-1991 Кристалл сульфида цинка, предназначенный для использования в окне инфракрасных детекторов.
工业和信息化部, Полупроводник + инфракрасное обнаружение
- JC/T 439-2021 Кристаллы сульфида цинка для окон инфракрасных детекторов.
- SJ/T 2658.15-2016 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов. Часть 15. Термическое сопротивление
- SJ/T 2658.14-2016 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов. Часть 14. Температура перехода.
- JC/T 2545-2019 Пироэлектрический монокристалл для высокопроизводительных инфракрасных детекторов
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Полупроводник + инфракрасное обнаружение
- GB/T 13583-1992 Габаритные размеры серии инфракрасных извещателей
- GB 10408.5-1989 Пассивные инфракрасные детекторы вторжения
- GB/T 5201-2012 Процедуры испытаний полупроводниковых детекторов заряженных частиц
- GB/T 5201-1994 Процедуры испытаний полупроводниковых детекторов заряженных частиц
- GB 10408.4-1989 Активные инфракрасные детекторы проникновения
- GB/T 11685-2003 Процедуры измерений для полупроводниковой системы детектора рентгеновского излучения и полупроводниковых энергетических спектрометров рентгеновского излучения
- GB/T 13584-2011 Методы измерения параметров инфракрасных детекторов
- GB/T 13584-1992 Методы измерения параметров инфракрасных детекторов
- GB/T 20726-2006 Технические характеристики энергодисперсионных рентгеновских спектрометров с полупроводниковыми детекторами
- GB/T 15430-1995 Методы экологических испытаний инфракрасных детекторов
- GB/T 43249-2023 Пассивная инфракрасная система обнаружения для автомобилей
- GB/T 43250-2023 Активная инфракрасная система обнаружения для автомобилей
- GB 10408.4-2000 Детекторы для систем охранной сигнализации. Часть 4. Активные инфракрасные детекторы вторжения
- GB/T 11296-1989 Обозначения типов материалов, обнаруживающих инфракрасное излучение.
- GB 10408.5-2000 Детекторы для систем охранной сигнализации. Часть 5. Пассивные инфракрасные детекторы для использования в зданиях.
- GB/T 29856-2013 Характеристика полупроводниковых одностенных углеродных нанотрубок с использованием ближней инфракрасной фотолюминесцентной спектроскопии
- GB 10408.6-2009 Комбинированный микроволновый и пассивный инфракрасный детектор вторжения
- GB 10408.6-2009 Комбинированный микроволновый и пассивный инфракрасный детектор вторжения
- GB 10408.6-2009"> Композитный микроволновый и пассивный инфракрасный детектор вторжения
- GB 10408.6-2009 Комбинированный микроволновый и пассивный инфракрасный детектор вторжения
- GB 10408.6-2009 Комбинированный микроволновый и пассивный инфракрасный детектор вторжения
- GB 10408.6-1991 Комбинированный микроволновый и пассивный инфракрасный детектор вторжения
- GB 10408.6-2009 Комбинированный микроволновый и пассивный инфракрасный детектор вторжения
- GB/T 44299-2024 Методы измерения и декларации дальности действия детектора Пассивные инфракрасные детекторы для обнаружения больших и малых движений
- GB/T 30110-2013 Методы измерения параметров слоев HgCdTe, используемых в космических инфракрасных детекторах
Group Standards of the People's Republic of China, Полупроводник + инфракрасное обнаружение
- T/CSTM 00316-2022 Оптоэлектрические монокристаллы - монокристаллы танталата лития для пироэлектрического инфракрасного обнаружения.
- T/CFPA 027-2023 Инфракрасный термографический тепловой пожарный извещатель
Bureau of Indian Standards, Полупроводник + инфракрасное обнаружение
- IS 11425-1985 Процедуры испытаний полупроводниковых детекторов заряженных частиц
International Electrotechnical Commission (IEC), Полупроводник + инфракрасное обнаружение
- IEC 60333:1970 Методики испытаний полупроводниковых детекторов ионизирующего излучения
- IEC 60333:1983 Методики испытаний полупроводниковых детекторов заряженных частиц
- IEC 60333:1993 Ядерное приборостроение; полупроводниковые детекторы заряженных частиц; процедуры испытаний
- IEC 63180:2020 Методы измерения и декларация дальности обнаружения извещателей. Пассивные инфракрасные извещатели для обнаружения значительного и незначительного движения.
German Institute for Standardization, Полупроводник + инфракрасное обнаружение
- DIN 50449-2:1998 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение содержания примесей в полупроводниках методом инфракрасного поглощения. Часть 2. Бор в арсениде галлия.
- DIN 50437:1979 Испытание полупроводниковых неорганических материалов; измерение толщины эпитаксиального слоя кремния методом инфракрасной интерференции
- DIN 50448:1998 Испытание материалов для полупроводниковой техники - Бесконтактное определение удельного электросопротивления полуизолирующих полупроводниковых пластинок с помощью емкостного зонда
- DIN 50449-1:1997 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение содержания примесей в полупроводниках методом инфракрасного поглощения. Часть 1. Углерод в арсениде галлия.
- DIN IEC 333:1995 Методы испытаний полупроводниковых детекторов заряженных частиц ядерных приборов
- DIN 50438-1:1995 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение содержания примесей в кремнии методом инфракрасного поглощения. Часть 1. Кислород.
RO-ASRO, Полупроводник + инфракрасное обнаружение
- STAS 10810-1976 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДЕТЕКТОРЫ ЯДЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ Классификация и терминология
- STAS 12258/6-1987 ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ ИНФРАКРАСНЫЕ ЭММ-ДИОДЫ Терминология и существенные характеристики
CZ-CSN, Полупроводник + инфракрасное обнаружение
- CSN 35 8850 Cast.2-1984 Полупроводниковые детекторы излучения. Основные параметры методов измерения
- CSN 35 6576-1982 Полупроводниковые детекторы ионизирующего излучения. Типы и спецификации
- CSN 35 6577-1982 Спитрометры с полупроводниковым детектором ионизирующего излучения. Технические характеристики
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Полупроводник + инфракрасное обнаружение
- IEEE 300-1988 Стандартные процедуры испытаний полупроводниковых детекторов заряженных частиц
- IEEE 300-1982 СТАНДАРТНЫЕ ПРОЦЕДУРЫ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ
- IEEE Std 300-1988(R2006) Стандартные процедуры испытаний IEEE для полупроводниковых детекторов заряженных частиц
- ANSI/IEEE Std 300-1982 Стандартные процедуры испытаний IEEE для полупроводниковых детекторов заряженных частиц
- IEEE Std 300-1988 Стандартные процедуры испытаний IEEE для полупроводниковых детекторов заряженных частиц
GSO, Полупроводник + инфракрасное обнаружение
- GSO IEC 60333:2009 Ядерное приборостроение. Полупроводниковые детекторы заряженных частиц. Процедуры испытаний.
- OS GSO IEC 60333:2009 Ядерное приборостроение. Полупроводниковые детекторы заряженных частиц. Процедуры испытаний.
SE-SIS, Полупроводник + инфракрасное обнаружение
- SIS SS IEC 333:1986 Ядерное приборостроение. Методики испытаний полупроводниковых детекторов заряженных частиц
Professional Standard - Railway, Полупроводник + инфракрасное обнаружение
- TB/T 3187-2007 Инфракрасный датчик температуры подшипников подвижного состава
United States Navy, Полупроводник + инфракрасное обнаружение
Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Полупроводник + инфракрасное обнаружение
- KS D 2717-2008(2018) Оценка соотношения металл/полупроводник в саже одностенных углеродных нанотрубок с использованием УФ-ВИД-БИК-спектроскопии поглощения
U.S. Military Regulations and Norms, Полупроводник + инфракрасное обнаружение
Association Francaise de Normalisation, Полупроводник + инфракрасное обнаружение
- NF EN IEC 63180:2020 Методы измерения и квалификация дальности обнаружения детекторов. Пассивные инфракрасные детекторы для обнаружения движений с высокой и низкой амплитудой.
Professional Standard - Energy and Power Planning, Полупроводник + инфракрасное обнаружение
- DL/T 907-2004 Руководство по инфракрасному контролю теплоэнергетического оборудования