PN T01505-04-1987
Полевые транзисторы Метод измерения Ток отсечки затвора Iaso и ток утечки затвора Igss

Стандартный №: PN T01505-04-1987
Дата публикации: 1987
Разместил: PL-PKN
Последняя версия: PN T01505-04-1987

сфера применения: Предметом стандарта является метод измерения токов затвора Igso и Igss при определенных напряжениях затвора Ugs и напряжении сток-исток Uds — 0 для полевых транзисторов А, В и С.

PN T01505-04-1987 История

1987 PN T01505-04-1987 Полевые транзисторы Метод измерения Ток отсечки затвора Iaso и ток утечки затвора Igss

Специальные темы по стандартам и нормам

Разница между контактным током и током утечки

стандарты и спецификации

GOST 20398.6-1974 Полевые транзисторы. Методика измерения тока утечки затвора ASTM F996-98 Стандартный метод испытаний для разделения сдвига порогового напряжения МОП-транзистора, индуцированного ионизирующим излучением, на компоненты ASTM F618-79e1 Стандартный метод измерения порогового напряжения насыщения МОП-транзистора ASTM F996-11(2018 Стандартный метод испытаний для разделения сдвига порогового напряжения МОП-транзистора, индуцированного ионизирующим излучением, на компоненты PD IEC TS 62607-6-16:2022 ASTM F996-98(2003 Стандартный метод испытаний для разделения сдвига порогового напряжения МОП-транзистора, индуцированного ионизирующим излучением, на компоненты JEDEC JESD24-12-2004 Измерение теплового импеданса биполярных транзисторов с изолированным затвором (метод Delta VCE(on)) (это альтернативный метод стандарту JEDEC № 24-6 DANSK DS/EN IEC 62819:2023 Работа под напряжением. Защита глаз, лица и головы от воздействия электрической дуги. Требования к эксплуатационным характеристикам и методы испытаний GSO IEC 63275-1:2024 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния. Часть 1. Метод BS IEC 63275-1:2022 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния. Метод испытания

PN T01505-04-1987 - Все части

PN T01505-03-1987 Полевые транзисторы Метод измерения Ток стока при заданном напряжении затвор-исток Idsx и токе стока при коротком замыкании затвора на исток. Идсс PN T01505-13-1987 Полевые транзисторы Метод измерения Выходная проводимость короткого замыкания y?is и выходная проводимость короткого замыкания в цепи общего источника PN T01505-15-1987 Полевые транзисторы Метод измерения Прямая проводимость короткого замыкания yi\s и прямая проводимость короткого замыкания в общем источнике gms PN T01505-16-1987 Полевые транзисторы Метод измерения Входная емкость короткого замыкания с общим источником CnM PN T01505-17-1987 Полевые транзисторы Метод измерения Выходная емкость короткого замыкания с общим истоком C22SS PN T01505-18-1987 Полевые транзисторы Метод измерения Обратно-переходная емкость с общей цепью с короткозамкнутым входом Cl2j.s PN T01505-19-1987 Полевые транзисторы Метод измерения Коэффициент шума F и эквивалентное входное шумовое напряжение U?

© 2025. Все права защищены.