GSO IEC 63275-1:2024 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния. Часть 1. Метод испытания на нестабильность температуры смещения.
2024GSO IEC 63275-1:2024 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния. Часть 1. Метод испытания на нестабильность температуры смещения.