1.1 Настоящее руководство определяет требования и процедуры испытаний кремниевых дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем на эффекты быстрого отжига в результате смещения, вызванного нейтронным излучением. Это испытание приведет к ухудшению электрических свойств облученных устройств и его следует рассматривать как разрушающее испытание. Быстрый отжиг повреждений смещения обычно связан с биполярными технологиями. 1.2 Настоящий стандарт не претендует на решение всех проблем безопасности, если таковые имеются, связанных с его использованием. Пользователь настоящего стандарта несет ответственность за установление соответствующих мер безопасности и охраны труда и определение применимости нормативных ограничений перед использованием.
ASTM F980M-96 История
2016ASTM F980-16 Стандартное руководство по измерению быстрого отжига нейтронно-индуцированных смещений в кремниевых полупроводниковых устройствах
2010ASTM F980-10e1 Стандартное руководство по измерению быстрого отжига нейтронно-индуцированных смещений в кремниевых полупроводниковых устройствах
2010ASTM F980-10 Стандартное руководство по измерению быстрого отжига нейтронно-индуцированных смещений в кремниевых полупроводниковых устройствах
1996ASTM F980M-96(2003) Стандартное руководство по измерению быстрого отжига нейтронно-индуцированного смещения в кремниевых полупроводниковых устройствах [метрическая система]
1996ASTM F980M-96 Стандартное руководство по измерению быстрого отжига нейтронно-индуцированного смещения в кремниевых полупроводниковых устройствах [метрическая система]
1992ASTM F980-92 Руководство по измерению быстрого отжига нейтронно-индуцированных смещений в кремниевых полупроводниковых устройствах