Электронные схемы, используемые во многих космических, военных и ядерных энергетических системах, могут подвергаться воздействию нейтронного излучения различных уровней и временных профилей. Для проектирования и изготовления таких схем крайне важно иметь методы испытаний, позволяющие определить уязвимость или стойкость (меру неуязвимости) компонентов, которые будут в них использоваться. Определение твердости часто необходимо как в краткосрочной перспективе (&#≈100<s), так и в долгосрочной перспективе (необратимое повреждение) после воздействия. См. практику E722.1.1. В этом руководстве определены требования и процедуры испытаний кремниевых дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем на эффекты быстрого отжига в результате повреждения смещением, возникающего в результате нейтронного излучения. Это испытание приведет к ухудшению электрических свойств облученных устройств и его следует рассматривать как разрушающее испытание. Быстрый отжиг повреждений смещения обычно связан с биполярными технологиями. 1.1.1 Пучки тяжелых ионов также можно использовать для характеристики отжига с повреждением смещения (1), но ионные пучки имеют значительные сложности при интерпретации результирующего поведения устройства из-за соответствующей ионизирующей дозы. Использование импульсных ионных пучков в качестве источника смещения повреждений не входит в сферу применения настоящего стандарта. 1.2 Значения, указанные в единицах СИ, следует считать стандартными. Никакие другие единицы измерения в настоящий стандарт не включены. 1.3 Настоящий стандарт не претендует на решение всех проблем безопасности, если таковые имеются, связанных с его использованием. Пользователь настоящего стандарта обязан проконсультироваться и установить соответствующие правила техники безопасности и гигиены труда, а также определить применимость нормативных ограничений перед использованием.
ASTM F980-10 История
2016ASTM F980-16 Стандартное руководство по измерению быстрого отжига нейтронно-индуцированных смещений в кремниевых полупроводниковых устройствах
2010ASTM F980-10e1 Стандартное руководство по измерению быстрого отжига нейтронно-индуцированных смещений в кремниевых полупроводниковых устройствах
2010ASTM F980-10 Стандартное руководство по измерению быстрого отжига нейтронно-индуцированных смещений в кремниевых полупроводниковых устройствах
1992ASTM F980-92 Руководство по измерению быстрого отжига нейтронно-индуцированных смещений в кремниевых полупроводниковых устройствах