5.1. Электронные схемы, используемые во многих космических, военных и ядерных энергетических системах, могут подвергаться воздействию нейтронного излучения различных уровней и временных профилей. Для проектирования и изготовления таких схем крайне важно иметь методы испытаний, позволяющие определить уязвимость или стойкость (меру неуязвимости) компонентов, которые будут в них использоваться. Определение твердости часто необходимо как для краткосрочного (&#≈100μs), так и для длительного периода (необратимое повреждение) после воздействия. См. практику E722. 1.1 В настоящем руководстве определены требования и процедуры испытаний кремниевых дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем на воздействие эффектов быстрого отжига в результате повреждения смещением, возникающего в результате нейтронного излучения. Это испытание приведет к ухудшению электрических свойств облученных устройств и его следует рассматривать как разрушающее испытание. Быстрый отжиг повреждений смещения обычно связан с биполярными технологиями. 1.1.1 Пучки тяжелых ионов также можно использовать для характеристики отжига с повреждением смещения (1) 2, но ионные пучки имеют значительные сложности при интерпретации результирующего поведения устройства из-за соответствующей ионизирующей дозы. Использование импульсных ионных пучков в качестве источника смещения повреждений не входит в сферу применения настоящего стандарта. 1.2. Значения, указанные в единицах СИ, следует рассматривать как стандартные. Никакие другие единицы измерения в настоящий стандарт не включены. 1.3. Настоящий стандарт не претендует на решение всех проблем безопасности, если таковые имеются, связанных с его использованием. Пользователь настоящего стандарта обязан проконсультироваться и установить соответствующие правила техники безопасности и гигиены труда, а также определить применимость нормативных ограничений перед использованием.
ASTM F980-10e1 История
2016ASTM F980-16 Стандартное руководство по измерению быстрого отжига нейтронно-индуцированных смещений в кремниевых полупроводниковых устройствах
2010ASTM F980-10e1 Стандартное руководство по измерению быстрого отжига нейтронно-индуцированных смещений в кремниевых полупроводниковых устройствах
2010ASTM F980-10 Стандартное руководство по измерению быстрого отжига нейтронно-индуцированных смещений в кремниевых полупроводниковых устройствах
1992ASTM F980-92 Руководство по измерению быстрого отжига нейтронно-индуцированных смещений в кремниевых полупроводниковых устройствах