Данный стандарт устанавливает методы определения остаточных напряжений в тонких пленках микроэлектромеханических систем (MEMS) с использованием двух основных методик: измерение кривизны подложки (wafer curvature method) и измерение отклонения консольной балки (cantilever beam deflection method). Стандарт применяется для контроля качества и характеристик тонкопленочных структур, используемых в производстве MEMS-устройств, включая сенсоры, актюаторы и другие микросистемные компоненты. Методы позволяют количественно оценить механические напряжения, возникающие в процессе осаждения тонких пленок, что критически важно для обеспечения надежности и стабильности работы микроэлектромеханических устройств.

© 2025. Все права защищены.