DIN EN 62047-16 E:2012-11 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 16. Методы испытаний для определения остаточных напряжений пленок МЭМС. Кривизна пластины и методы отклонения консольной балки - Стандарты и спецификации PDF

DIN EN 62047-16 E:2012-11
Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 16. Методы испытаний для определения остаточных напряжений пленок МЭМС. Кривизна пластины и методы отклонения консольной балки

Стандартный №
DIN EN 62047-16 E:2012-11
Дата публикации
2012
Разместил
German Institute for Standardization
состояние
быть заменен
DIN EN 62047-16:2015
Последняя версия
DIN EN 62047-16:2015-12
 

Введение

IEC 47F/125/CD:2012

Полупроводниковые приборы - Микроэлектромеханические устройства - Часть 16: Методы испытаний для определения остаточных напряжений в тонких пленках MEMS - Методы кривизны подложки и отклонения консольной балки

Данный стандарт устанавливает методы определения остаточных напряжений в тонких пленках микроэлектромеханических систем (MEMS) с использованием двух основных методик: измерение кривизны подложки (wafer curvature method) и измерение отклонения консольной балки (cantilever beam deflection method). Стандарт применяется для контроля качества и характеристик тонкопленочных структур, используемых в производстве MEMS-устройств, включая сенсоры, актюаторы и другие микросистемные компоненты. Методы позволяют количественно оценить механические напряжения, возникающие в процессе осаждения тонких пленок, что критически важно для обеспечения надежности и стабильности работы микроэлектромеханических устройств.

DIN EN 62047-16 E:2012-11 История

  • 2015 DIN EN 62047-16:2015-12 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 16. Методы испытаний для определения остаточных напряжений пленок МЭМС. Методы кривизны пластин и отклонения консольной балки (IEC 62047-16:2015); Немецкая версия EN 62047-16:2015
  • 2015 DIN EN 62047-16:2015 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 16. Методы испытаний для определения остаточных напряжений пленок МЭМС. Методы кривизны пластин и отклонения консольной балки (IEC 62047-16:2015); Немецкая версия EN 62047-16:2015
  • 2012 DIN EN 62047-16 E:2012-11 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 16. Методы испытаний для определения остаточных напряжений пленок МЭМС. Кривизна пластины и методы отклонения консольной балки
  • 2012 DIN EN 62047-16 E:2012 Проект документа. Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 16. Методы испытаний для определения остаточных напряжений пленок МЭМС. Методы кривизны пластины и отклонения консольной балки (IEC 47F/125/CD:2012).
Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 16. Методы испытаний для определения остаточных напряжений пленок МЭМС. Кривизна пластины и методы отклонения консольной балки

стандарты и спецификации

GSO IEC 62047-16:2021 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 16. Методы испытаний для определения остаточных напряжений пленок МЭМС. Кривизна пластины и методы отклонения консольной балки IEC 62047-16:2015 приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 16. Методы испытаний для определения остаточных напряжений пленок МЭМС. Кривизна пластины и методы отклонения консольной балки NF C96-050-16*NF EN 62047-16:2015 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 16. Методы испытаний для определения остаточных напряжений пленок МЭМС. Кривизна пластины и методы отклонения консольной балки DANSK DS/EN 62047-16:2015 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 16. Методы испытаний для определения остаточных напряжений пленок МЭМС. Кривизна пластины и методы отклонения консольной балки BH GSO IEC 62047-16:2022 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 16. Методы испытаний для определения остаточных напряжений пленок МЭМС. Кривизна пластины и методы отклонения консольной балки EN 62047-16:2015 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 16. Методы испытаний для определения остаточных напряжений пленок МЭМС. Методы кривизны пластины и отклонения консольной балки DIN EN 62047-18 E:2011-06 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб DIN EN 62047-17 E:2011-06 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 17. Метод испытания на выпучивание для измерения механических свойств тонких пленок DIN EN 62047-21 E:2012-11 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов



© 2025. Все права защищены.