JEDEC JESD24-10-2002 Метод испытания для измерения времени обратного восстановления trr для сток-исток диодов силовых МОП-транзисторов - Стандарты и спецификации PDF

JEDEC JESD24-10-2002
Метод испытания для измерения времени обратного восстановления trr для сток-исток диодов силовых МОП-транзисторов

Стандартный №
JEDEC JESD24-10-2002
Дата публикации
2002
Разместил
/
 

Введение

Название стандарта: Метод измерения времени обратного восстановления trr для диодов сток-исток силовых MOSFET

Номер стандарта: JESD24-10

Дата публикации: Август 1994 года (Подтверждено: Октябрь 2002 года)

Область применения: Данный стандарт предназначен для измерения времени обратного восстановления (trr) диодов сток-исток в силовых MOSFET. Он обеспечивает единый подход к тестированию и спецификации продукции, что способствует улучшению взаимодействия между производителями и покупателями, а также облегчает выбор подходящих продуктов.

Дополнительная информация: Стандарт разработан с учетом интересов производителей твердотельных устройств и не учитывает возможные патенты или патентные обязательства. Для получения дополнительной информации или комментариев можно обратиться в JEDEC.

Метод испытания для измерения времени обратного восстановления trr для сток-исток диодов силовых МОП-транзисторов

Специальные темы по стандартам и нормам

стандарты и спецификации

JEDEC JESD24-10-1994 Метод испытаний для измерения времени обратного восстановления trr для мощных диодов сток-исток МОП-транзисторов. Дополнение к JEDEC JESD 24 ASTM F1340-92 Стандартный метод испытаний для определения средней плотности интерфейсных ловушек МОП-транзисторов с помощью подкачки заряда JEDEC JESD24-7-1992 Процедура испытания зоны безопасной работы коммутационных диодов для измерения DV/DT во время обратного восстановления силовых транзисторов. Дополнение к JEDEC ASTM F996-98 Стандартный метод испытаний для разделения сдвига порогового напряжения МОП-транзистора, индуцированного ионизирующим излучением, на компоненты ASTM F996-98(2003 Стандартный метод испытаний для разделения сдвига порогового напряжения МОП-транзистора, индуцированного ионизирующим излучением, на компоненты DANSK DS/IEC 63275-2:2022 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния. Часть 2. Метод ASTM F996-11(2018 Стандартный метод испытаний для разделения сдвига порогового напряжения МОП-транзистора, индуцированного ионизирующим излучением, на компоненты ASTM F616M-96(2003 Стандартный метод измерения тока утечки стока МОП-транзистора (метрический ASTM F996-10 Стандартный метод испытаний для разделения сдвига порогового напряжения МОП-транзистора, индуцированного ионизирующим излучением, на компоненты



© 2025. Все права защищены.