DANSK DS/IEC 63275-2:2022
Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния. Часть 2. Метод испытаний на биполярное ухудшение вследствие работы внутреннего диода.

Стандартный №: DANSK DS/IEC 63275-2:2022
Дата публикации: 2022
Разместил: Danish Standards Foundation
Последняя версия: DANSK DS/IEC 63275-2:2022

сфера применения: В стандарте IEC 63275-2:2022 описан метод испытаний и процедура, использующая этот метод для оценки изменения напряжения в открытом состоянии, изменения сопротивления в открытом состоянии и обратного изменения напряжения стока силовых MOSFET-устройств из карбида кремния (SiC) из-за работы внутреннего диода. Обычно этот тест не требуется для силовых кремниевых транзисторов.

DANSK DS/IEC 63275-2:2022 История

2022 DANSK DS/IEC 63275-2:2022 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния. Часть 2. Метод испытаний на биполярное ухудшение вследствие работы внутреннего диода.

Специальные темы по стандартам и нормам

Экспериментальные стандарты надежности полупроводников и

стандарты и спецификации

IEC 63275-2:2022 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния. Часть 2. Метод испытания на биполярное ухудшение вследствие работы внутреннего диода. GJB 128B-2021 Методы испытаний полупроводниковых дискретных устройств BS IEC 62373-1:2020 Полупроводниковые приборы. Испытание на температурную стабильность смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET) - быстрый MIL MIL-STD-750F-2012 МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ (ЗАМЕНЯЮЩИЕ MIL-STD-750E JEITA EDR-4704A-2007 Руководство по применению ускоренного испытания полупроводниковых приборов на срок службы ASTM F980M-96(2003 Стандартное руководство по измерению быстрого отжига нейтронно-индуцированного смещения в кремниевых полупроводниковых устройствах [метрическая система ASTM F1190-11 Стандартное руководство по нейтронному облучению несмещенных электронных компонентов ASTM F1467-99(2005 Стандартное руководство по использованию рентгеновского тестера ([приблизительно] фотонов 10 кэВ) при тестировании полупроводниковых приборов и микросхем ASTM F1467-99 Стандартное руководство по использованию рентгеновского тестера ([приблизительно] фотонов 10 кэВ) при тестировании полупроводниковых приборов и микросхем

© 2025. Все права защищены.