IEC 62047-45:2025 Метод измерения ударопрочности наноструктур в технологии изготовления МЭМС на основе кремния для микроэлектромеханических устройств - Стандарты и спецификации PDF

IEC 62047-45:2025
Метод измерения ударопрочности наноструктур в технологии изготовления МЭМС на основе кремния для микроэлектромеханических устройств

Стандартный №
IEC 62047-45:2025
Дата публикации
2025
Разместил
International Electrotechnical Commission (IEC)
Последняя версия
IEC 62047-45:2025
 

сфера применения

Анализ структуры стандарта и развития технологий

IEC 62047-45, являясь важным стандартом в области микроэлектромеханических систем (MEMS), разработал систематический метод, специально предназначенный для измерения ударопрочности наноструктур на основе кремния. Выпуск этого стандарта заполняет пробел в области испытаний механических характеристик в микро-наномасштабе, особенно в достижении технологических прорывов в тестировании на месте и корреляции процесса.


Анализ основных технологических инноваций

Самым большим нововведением этого стандарта является введение концепции тестера на кристалле in-situ, который объединяет испытательную структуру и испытательное оборудование на одном кристалле, реализуя одновременную реализацию производственного процесса и тестирования производительности. Такая конструкция позволяет избежать ограничений традиционных методов испытаний, требующих сложных приборов (таких как сканирующие зондовые микроскопы, наноинденторы) и специальных образцов.

5.4 Формула расчета энергии удара

Стандарт содержит точную формулу расчета энергии удара: $$ K_{D}={\frac{8E w^{3}h}{l^{3}}}\Big(D^{2}-d^{2}\Big) $$ Каждый параметр должен использовать фактическое измеренное значение после изготовления, чтобы гарантировать точность результатов расчета. Если структурная погрешность контролируется в рамках правил проектирования стабильного процесса массового производства, формула может обеспечить точные значения энергии удара.


Пример реализации схемы испытания с термоприводом

В Приложении А представлен конкретный план реализации термически управляемого внутрикристального ударного испытательного стенда для наноструктур. В этой схеме используется метод термопривода: движущая сила создаётся посредством термоприводной балки, смещение усиливается с помощью усиливающего рычажного механизма и, наконец, ударный молоток освобождается для удара по испытуемой конструкции.

Метод испытанийТрадиционный методЭтот стандартный методСравнение преимуществ
Требования к оборудованиюТребуется дорогостоящее оборудование, такое как СЗМ и наноинденторТребуется только оптический микроскоп и приводное устройствоСнижение затрат более чем на 80%
Подготовка образцовТребуется подготовка образцов
Название параметраСимволРекомендуемое значение (мкм)Описание
Толщина конструкции подвескиh60Определяет жесткость конструкции
Длина балки накопления энергииl1400Влияет на емкость накопления энергии
Ширина балки накопления энергииw15Основные размерные параметры
Испытательная конструкция Длинаa150Наномасштабная тестовая структура
Радиус ударного молоткаR15Площадь ударного контакта

Рекомендации по внедрению и передовой опыт

Вопросы адаптации процесса

Во время внедрения необходимо в полной мере учитывать ограничения процесса травления по размерам линии и пространства. Если потеря ширины линии составляет 0,5 мкм, а требуется, чтобы погрешность была менее 10%, ширина пучка накопления энергии w должна быть больше 15 мкм для обеспечения точности испытания.

Оптимизация стратегии испытания

Рекомендуется использовать стратегию разделенного испытания, начиная с максимального отклонения (40 мкм). Если тестовая структура не разрушается, постепенно испытывайте испытательную установку с меньшими прогибами, пока не будет найдено минимальное значение D, вызывающее разрушение тестовой структуры. Уменьшение интервала D может улучшить разрешающую способность испытания.

Меры обеспечения качества

Процесс изготовления тестового устройства должен соответствовать требованиям к качеству сценария применения. Тестовая структура и устройство MEMS должны быть изготовлены с использованием одного и того же процесса, чтобы гарантировать, что результаты испытаний действительно отражают эксплуатационные характеристики фактического устройства.


Ценность применения и влияние стандарта на отрасль

Внедрение стандарта IEC 62047-45 принесет множество преимуществ отрасли MEMS: во-первых, он обеспечивает стандартизированный метод измерения ударопрочности наноструктур, делая результаты испытаний разных производителей сопоставимыми; во-вторых, он снижает затраты на испытания и технические барьеры, способствуя популяризации и применению технологии MEMS; наконец, он устанавливает количественный мост между проектированием и производством, помогая оптимизировать конструкцию продукта и параметры процесса.

Этот стандарт особенно подходит для приложений MEMS, требующих высокой надежности, таких как автомобильная электроника, медицинское оборудование, аэрокосмическая промышленность и т. д., и предоставляет технические гарантии, обеспечивающие долговременную надежность микро-наноустройств в этих критически важных приложениях.

IEC 62047-45:2025 История

  • 2025 IEC 62047-45:2025 Метод измерения ударопрочности наноструктур в технологии изготовления МЭМС на основе кремния для микроэлектромеханических устройств
Метод измерения ударопрочности наноструктур в технологии изготовления МЭМС на основе кремния для микроэлектромеханических устройств

стандарты и спецификации

BS IEC 62047-45:2025 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические приборы - Технология изготовления МЭМС на основе кремния. Метод измерения ударопрочности наноструктур IEC 62047-45:2025 PRV Полупроводниковые приборы - Микроэлектромеханические приборы - Часть 45: Технология изготовления МЭМС на основе кремния - Метод измерения ударопрочности DIN EN 62047-21 E:2012-11 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов BS IEC 62047-47:2024 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические приборы - Технология изготовления МЭМС на основе кремния. Метод измерения прочности на изгиб микроструктур DS/EN 62047-4:2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 4. Общая спецификация для МЭМС BS EN 62047-4:2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Общая спецификация для MEMS IEC 62047-4:2008 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 4. Общие спецификации для МЭМС BS EN 62047-9:2011(2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 9. Измерение прочности соединения между пластинами для МЭМС GSO IEC 62047-4:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 4. Общая спецификация для МЭМС



© 2025. Все права защищены.