SJ/T 2217-2014 (Англоязычная версия) Техническая спецификация фототранзистора кремния - Стандарты и спецификации PDF

SJ/T 2217-2014
Техническая спецификация фототранзистора кремния (Англоязычная версия)

Стандартный №
SJ/T 2217-2014
язык
Китайский, Доступно на английском
Дата публикации
2014
Разместил
Professional Standard - Electron
Последняя версия
SJ/T 2217-2014
заменять
SJ/T 2217-1982
сфера применения
В настоящей спецификации указаны технические требования, методы проверки и правила проверки фотоэлектрических свойств, механических свойств и экологических характеристик кремниевых фототранзисторов (далее «устройства»). Эта спецификация относится к серии кремниевых фототранзисторов 3DU.

SJ/T 2217-2014 Ссылочный документ

  • GB/T 11499-2001 Буквенные обозначения дискретных полупроводниковых приборов
  • GB/T 12565-1990 Полупроводниковые приборы. Технические характеристики оптоэлектронных устройств.
  • GB/T 15651 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства и интегральные схемы. Часть 5: Оптоэлектронные устройства
  • GB/T 2423.1 Экологические испытания электрических и электронных изделий. Часть 2. Методы испытаний. Испытания A: Холод.
  • GB/T 2423.2 Экологические испытания электрических и электронных изделий. Часть 2. Методы испытаний. Испытания B: Сухой жар.
  • GB/T 2828.1-2003 Процедуры отбора проб для проверки по характеристикам. Часть 1. Схемы выборки, индексированные по пределу приемочного качества (AQL), для проверки каждой партии.
  • GB/T 4589.1-2006 Полупроводниковые приборы. Часть 10. Общая спецификация для дискретных устройств и интегральных схем.
  • GB/T 4937 Механические и климатические методы испытаний полупроводниковых приборов
  • SJ/T 2214-2015 Методы измерения полупроводниковых фотодиодов и фототранзисторов*2015-04-30 Обновление

SJ/T 2217-2014 История

  • 2014 SJ/T 2217-2014 Техническая спецификация фототранзистора кремния
  • 1982 SJ/T 2217-1982 Кремниевые фототранзисторы



© 2023. Все права защищены.