IEC 60747-9:2007 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT).

Стандартный №: IEC 60747-9:2007
Дата публикации: 2007
Разместил: International Electrotechnical Commission (IEC)
состояние: быть заменен
быть заменен: IEC 60747-9:2019
Последняя версия: IEC 60747-9:2019
заменять: IEC 60747-9 AMD 1:2001 IEC 60747-9:1998 IEC 47E/333/FDIS:2007 IEC 60747-9 Edition 1.1:2001

сфера применения: В этой части IEC 60747 приведены стандарты терминологии, буквенных символов, основных номиналов и характеристик, проверки номиналов и методов измерения для биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT).

IEC 60747-9:2007 Ссылочный документ

IEC 60747-1:2006 Полупроводниковые приборы. Часть 1: Общие сведения
IEC 60747-2 Полупроводниковые приборы. Часть 2. Дискретные устройства. Выпрямительные диоды.*， 2016-04-01 Обновление
IEC 60747-6 Полупроводниковые приборы. Часть 6: Тиристоры*， 2016-04-01 Обновление
IEC 61340 Электростатика. Часть 6-1. Электростатический контроль в здравоохранении. Общие требования к объектам*， 2018-09-24 Обновление

2019 IEC 60747-9:2019 Полупроводниковые приборы. Часть 9. Дискретные устройства. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT).
2007 IEC 60747-9:2007 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT).
2001 IEC 60747-9/AMD1:2001 Полупроводниковые приборы. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT); Поправка 1
2001 IEC 60747-9:2001 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT).
1998 IEC 60747-9:1998 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT).