IEC 60747-9/AMD1:2001
Полупроводниковые приборы. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT); Поправка 1

Стандартный №

IEC 60747-9/AMD1:2001

Дата публикации

2001

Разместил

International Electrotechnical Commission (IEC)

состояние

быть заменен 2007-09

быть заменен

IEC 60747-9:2007

Последняя версия

IEC 60747-9:2019

заменять

IEC 47E/194/FDIS:2001

сфера применения

Этот стандарт — Полупроводниковые устройства. Часть 9: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT); Поправка 1.

IEC 60747-9/AMD1:2001 История

• 2019 IEC 60747-9:2019 Полупроводниковые приборы. Часть 9. Дискретные устройства. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT).
• 2007 IEC 60747-9:2007 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT).
• 2001 IEC 60747-9/AMD1:2001 Полупроводниковые приборы. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT); Поправка 1
• 2001 IEC 60747-9:2001 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT).
• 1998 IEC 60747-9:1998 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT).

IEC 60747-9/AMD1:2001 Полупроводниковые приборы. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT); Поправка 1 было изменено на IEC 60747-9:2007 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)..