Полупроводниковый лазер с внешним резонатором

Полупроводниковый лазер с внешним резонатором, Всего: 55 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Полупроводниковый лазер с внешним резонатором, являются: Медицинское оборудование, Оптоэлектроника. Лазерное оборудование, Электронные устройства отображения, Применение информационных технологий, Оптоволоконная связь, Интегральные схемы. Микроэлектроника, Оптика и оптические измерения, Полупроводниковые приборы, Экологические испытания, Аналитическая химия.

British Standards Institution (BSI), Полупроводниковый лазер с внешним резонатором

BS IEC 60747-5-4:2022 Полупроводниковые приборы - Оптоэлектронные приборы. Полупроводниковые лазеры
BS IEC 60747-5-4:2006 Полупроводниковые приборы - Дискретные приборы - Оптоэлектронные приборы - Полупроводниковые лазеры
19/30404095 DC БС ЕН МЭК 60747-5-4. Полупроводниковые приборы. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры
23/30473272 DC BS IEC 60747-5-4 AMD 1. Приборы полупроводниковые. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры
BS ISO 17915:2018 Оптика и фотоника. Метод измерения полупроводниковых лазеров для зондирования
BS EN 61207-7:2013 Выражение производительности газоанализаторов. Перестраиваемые полупроводниковые лазерные газоанализаторы

国家药监局, Полупроводниковый лазер с внешним резонатором

YY/T 1751-2020 Оборудование для лазерной терапии, полупроводниковый лазер, инструмент для интраназальной лучевой терапии

Professional Standard - Electron, Полупроводниковый лазер с внешним резонатором

SJ/T 11856.2-2022 Технические характеристики полупроводниковых лазерных чипов для оптоволоконной связи. Часть 2. Полупроводниковые лазерные чипы с вертикальным резонатором для источников света.
SJ 2750-1987 Габаритные размеры полупроводниковых лазерных диодов
SJ 50033/109-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация полупроводниковых лазерных диодов типов GJ9031T и GJ9032T и GJ9034T.
SJ/T 11856.3-2022 Технические характеристики полупроводниковых лазерных чипов для оптоволоконной связи. Часть 3. Полупроводниковые лазерные чипы с модуляцией электрического поглощения для источников света
SJ/T 11402-2009 Технические характеристики полупроводникового лазерного чипа, используемого в оптоволоконной связи
SJ 2247-1982 Контурные размеры полупроводниковых оптоэлектронных приборов
SJ 2684-1986 Физические размеры светоизлучающего устройства из полупроводника
SJ/T 11856.1-2022 Технические характеристики полупроводниковых лазерных чипов для оптоволоконной связи. Часть 1. Источник света Фабри-Перо и полупроводниковые лазерные чипы с распределенной обратной связью.
SJ 2749-1987 Метод измерения полупроводниковых лазерных диодов

Group Standards of the People's Republic of China, Полупроводниковый лазер с внешним резонатором

T/JGXH 008-2020 Твердотельный лазер с диодной накачкой
T/CVIA 134-2024 Методы тестирования полупроводниковых лазерных устройств
T/CASME 698-2023 Аппарат полупроводниковой лазерной терапии
T/QGCML 2041-2023 Мощный полупроводниковый лазерный чип с длиной волны 878 нм
T/JGXH 017-2024 Интеллектуальный прибор для полупроводниковой лазерной терапии

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Полупроводниковый лазер с внешним резонатором

GB/T 31358-2015 Общие характеристики полупроводниковых лазеров
GB/T 31359-2015 Методы испытаний полупроводниковых лазеров
GB 15651.4-2017 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства Часть 5-4: Оптоэлектронные устройства Полупроводниковые лазеры
GB/T 15167-1994 Общие характеристики источника света полупроводниковых лазеров

International Electrotechnical Commission (IEC), Полупроводниковый лазер с внешним резонатором

IEC 60747-5-4:2022+AMD1:2024 CSV Семикондукторные приборы - Часть 5-4: Оптоэлектронные приборы - Семикондукторные лазеры
IEC 60747-5-4:2024 Сemiconductor устройства - Часть 5-4: Optoeлектронные устройства - Квантовые лазеры
IEC 60747-5-4:2022 Полупроводниковые приборы. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры.
IEC 60747-5-4:2006 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры.
IEC 60747-5-4:2022/AMD1:2024 Поправка 1 - Полупроводниковые приборы - Часть 5-4: Оптоэлектронные устройства - Семiconductor lasers

Jilin Provincial Standard of the People's Republic of China, Полупроводниковый лазер с внешним резонатором

DB22/T 2725-2017 Полупроводниковый лазер с волоконной решеткой 980 нм

GSO, Полупроводниковый лазер с внешним резонатором

OS GSO IEC 60747-5-4:2014 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры.
GSO IEC 60747-5-4:2014 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры.
BH GSO IEC 60747-5-4:2016 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры.
OS GSO ISO/TS 17915:2015 Оптика и фотоника. Методы измерения полупроводниковыми лазерами для зондирования.
BH GSO ISO/TS 17915:2017 Оптика и фотоника. Методы измерения полупроводниковыми лазерами для зондирования.

IET - Institution of Engineering and Technology, Полупроводниковый лазер с внешним резонатором

DISTRB FEEDB SEMI LAS-1998 Полупроводниковые лазеры с распределенной обратной связью

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Полупроводниковый лазер с внешним резонатором

GB/T 15651.4-2017 Полупроводниковые устройства. Дискретные устройства. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры.

Professional Standard - Medicine, Полупроводниковый лазер с внешним резонатором

YY 1289-2016 Оборудование для лазерной терапии Аппарат для офтальмологической диодной лазерной фотокоагуляции
YY 0845-2011 Лазерное терапевтическое оборудование.Диодное лазерное оборудование для фотодинамической терапии

International Organization for Standardization (ISO), Полупроводниковый лазер с внешним резонатором

ISO/TS 17915:2013 Оптика и фотоника. Метод измерения полупроводниковых лазеров для зондирования.
ISO 17915:2018 Оптика и фотоника - Метод измерения полупроводниковых лазеров для зондирования

Professional Standard - Post and Telecommunication, Полупроводниковый лазер с внешним резонатором

YD/T 1687.1-2007 Технические требования к высокоскоростному полупроводниковому лазеру для оптоволоконной связи, часть 1:2,5 Гбит/с, охлаждаемый полупроводниковый лазер с прямой модуляцией
YD/T 1687.2-2007 Технические требования к высокоскоростному полупроводниковому лазеру для оптоволоконной связи, часть 2: 2,5 Гбит/с, неохлаждаемый полупроводниковый лазер с прямой модуляцией

European Committee for Standardization (CEN), Полупроводниковый лазер с внешним резонатором

CWA 17857:2022 Система адаптеров на основе линз для соединения оптоволокна с инфракрасными полупроводниковыми лазерами

Standards Norway, Полупроводниковый лазер с внешним резонатором

SN-CWA 17857:2022 Система адаптеров на основе линз для соединения оптоволокна с инфракрасными полупроводниковыми лазерами

American National Standards Institute （ANSI), Полупроводниковый лазер с внешним резонатором

ANSI/TIA/EIA 455-128-1996 Методика определения порогового тока полупроводниковых лазеров

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Полупроводниковый лазер с внешним резонатором

GJB 3519-1999 Общие характеристики полупроводниковых лазерных диодов

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Полупроводниковый лазер с внешним резонатором

CNS 13805-1997 Метод измерения фотолюминесценции полупроводниковых пластин оптоэлектроники

SCC, Полупроводниковый лазер с внешним резонатором

BS PD ISO/TS 17915:2013 Оптика и фотоника. Метод измерения полупроводниковых лазеров для зондирования
SPC GB/T 37412-2019 Лазеры и связанное с ними оборудование. Метод измерения резонатора для измерения высокого коэффициента отражения (ТЕКСТ ДОКУМЕНТА НА КИТАЙСКОМ ЯЗЫКЕ)

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Полупроводниковый лазер с внешним резонатором

KS C 6942-1999 Общие правила использования лазерных диодных модулей для оптоволоконной передачи

工业和信息化部, Полупроводниковый лазер с внешним резонатором

SJ/T 2749-2016 Методы испытаний полупроводниковых лазерных диодов

(U.S.) Telecommunications Industries Association , Полупроводниковый лазер с внешним резонатором

TIA-455-128-1996(2014) Методика определения порогового тока полупроводниковых лазеров
TIA-455-128-1996 Методика определения порогового тока полупроводниковых лазеров