GB/T 14142-1993 Метод испытаний поверхностного сопротивления эпитаксиальных, диффузных и ионно-имплантированных слоев кремния с использованием коллинеарной четырехзондовой установки (Англоязычная версия)
Настоящий стандарт определяет методы отображения методом химического травления и контроля кристаллических дефектов эпитаксиального слоя кремния с помощью металлографического микроскопа. Настоящий стандарт применим для измерения дефектов упаковки и плотности дислокаций в эпитаксиальном слое кремния. Толщина эпитаксиального слоя кремния должна быть более 2 мкм. Диапазон измерения составляет 010000см2.
GB/T 14142-1993 История
2017GB/T 14142-2017 Метод испытаний кристаллографического совершенства эпитаксиальных слоев кремния — метод травления
1993GB/T 14142-1993 Метод испытаний поверхностного сопротивления эпитаксиальных, диффузных и ионно-имплантированных слоев кремния с использованием коллинеарной четырехзондовой установки