ASTM F1192-11
Стандартное руководство по измерению единичных явлений (SEP), вызванных облучением полупроводниковых приборов тяжелыми ионами

Стандартный №

ASTM F1192-11

Дата публикации

2011

Разместил

American Society for Testing and Materials (ASTM)

состояние

быть заменен

быть заменен

ASTM F1192-11(2018)

Последняя версия

ASTM F1192-11(2018)

сфера применения

Многие современные интегральные схемы, силовые транзисторы и другие устройства испытывают СЭП при воздействии космических лучей в межпланетном пространстве, на спутниковых орбитах или во время короткого прохождения через захваченные радиационные пояса. Очень важно уметь прогнозировать скорость SEP для конкретной среды, чтобы разработать правильные методы противодействия последствиям таких сбоев в предлагаемых системах. По мере того, как технология движется в сторону микросхем с более высокой плотностью, проблема, вероятно, станет еще более острой. Это руководство предназначено для помощи экспериментаторам в проведении наземных испытаний для получения данных, позволяющих делать прогнозы SEP. 1.1 Настоящее руководство определяет требования и процедуры испытаний интегральных схем и других устройств на воздействие однособытийных явлений (SEP), вызванных облучением тяжелыми ионами, имеющими атомный номер Z &#≥ 2. Это описание специально исключает эффекты нейтронов, протонов и других более легких частиц, которые могут вызывать СЭП по другому механизму. SEP включает в себя любое проявление нарушения, вызванное одиночным ионным ударом, включая мягкие ошибки (один или несколько одновременных обратимых переворотов битов), серьезные ошибки (необратимые перевороты битов), защелкивание (постоянное состояние высокой проводимости), переходные процессы, вызванные в комбинаторных устройствах, которые могут ввести программная ошибка в близлежащих цепях, перегорание силового полевого транзистора (FET) и разрыв затвора. Этот тест можно считать разрушительным, поскольку он часто предполагает снятие крышек устройств перед облучением. Переворот битов обычно связан с цифровыми устройствами, а защелка обычно ограничивается устройствами на основе комплементарных металлооксидов-полупроводников (КМОП), но SEP, индуцированный тяжелыми ионами, также наблюдается в программируемой постоянной памяти с комбинаторной логикой (PROM) и некоторых линейных устройствах, которые может реагировать на переходный процесс заряда, индуцированный тяжелыми ионами. Силовые транзисторы можно испытывать с помощью процедуры, указанной в методе 1080 стандарта MIL STD 750. 1.2 Описанные здесь процедуры можно использовать для моделирования и прогнозирования SEP, возникающего в естественной космической среде, включая галактические космические лучи, ионы, захваченные планетами, и солнечные вспышки. . Однако эти методы не моделируют эффекты пучков тяжелых ионов, предлагаемые для военных программ. Конечным продуктом теста является график поперечного сечения SEP (количества нарушений на единицу флюенса) в зависимости от LET ионов (линейная передача энергии или ионизация, осаждаемая на пути иона через полупроводник). Эти данные можно объединить с данными о среде тяжелых ионов в системе, чтобы оценить частоту сбоев системы. 1.3 Хотя протоны могут вызывать СЭП, они не включены в данное руководство. Рассматривается отдельное руководство по СЭП, индуцированному протонами. 1.4 Значения, указанные в единицах СИ, следует считать стандартными. Никакие другие единицы измерения в настоящий стандарт не включены. 1.5 Настоящий стандарт не претендует на решение всех проблем безопасности, если таковые имеются, связанных с его использованием. Пользователь настоящего стандарта несет ответственность за установление соответствующих мер безопасности и охраны труда и определение применимости нормативных ограничений перед использованием.

ASTM F1192-11 История

• 2018 ASTM F1192-11(2018) Стандартное руководство по измерению единичных явлений (SEP), вызванных облучением полупроводниковых приборов тяжелыми ионами
• 2011 ASTM F1192-11 Стандартное руководство по измерению единичных явлений (SEP), вызванных облучением полупроводниковых приборов тяжелыми ионами
• 2000 ASTM F1192-00(2006) Стандартное руководство по измерению единичных явлений (SEP), вызванных облучением полупроводниковых приборов тяжелыми ионами
• 2000 ASTM F1192-00 Стандартное руководство по измерению единичных явлений (SEP), вызванных облучением полупроводниковых приборов тяжелыми ионами