1.1 Настоящее руководство определяет требования и процедуры испытаний интегральных схем и других устройств на воздействие однособытийных явлений (SEP), вызванных облучением тяжелыми ионами, имеющими атомный номер Z >2. Это описание специально исключает эффекты нейтронов, протонов и других более легких частиц, которые могут вызывать СВП по другому механизму. SEP включает любое проявление сбоя, вызванного одиночным ионным ударом, включая мягкие ошибки (одно или несколько одновременных обратимых переключений битов), серьезные ошибки (необратимые перевороты битов), защелкивание (постоянное состояние высокой проводимости), переходные процессы, вызванные в комбинаторных устройствах, которые могут вводить программная ошибка в близлежащих цепях, перегорание силового полевого транзистора (FET) и разрыв затвора. Этот тест можно считать разрушительным, поскольку он часто предполагает снятие крышек устройств перед облучением. Переворот битов обычно связан с цифровыми устройствами, а защелка обычно ограничивается устройствами на основе комплементарных металлооксидов-полупроводников (КМОП), но SEP, индуцированный тяжелыми ионами, также наблюдается в программируемой постоянной памяти с комбинаторной логикой (PROM) и некоторых линейных устройствах, которые может реагировать на переходный процесс заряда, индуцированный тяжелыми ионами. Силовые транзисторы могут быть проверены с помощью процедуры, описанной в методе 1080 стандарта MIL STD 750.1.2. Описанные здесь процедуры можно использовать для моделирования и прогнозирования SEP, возникающего в естественной космической среде, включая галактические космические лучи, планетарные захваченные ионы и солнечные вспышки. Однако эти методы не моделируют эффекты пучков тяжелых ионов, предлагаемые для военных программ. Конечным продуктом теста является график поперечного сечения SEP (количества нарушений на единицу флюенса) как функции ЛПЭ ионов (линейной передачи энергии или ионизации, осаждаемой на пути иона через полупроводник). Эти данные можно объединить с данными о среде тяжелых ионов в системе, чтобы оценить степень сбоев системы. 1.3 Хотя протоны могут вызывать СЭП, они не включены в это руководство. В настоящее время рассматривается отдельное руководство по СЭП, индуцированному протонами. 1.4 Значения, указанные в Международной системе единиц (СИ), следует рассматривать как стандартные. Никакие другие единицы измерения не включены в данное руководство. 1.5. Настоящий стандарт не претендует на решение всех проблем безопасности, если таковые имеются, связанных с его использованием. Пользователь настоящего стандарта несет ответственность за установление соответствующих мер безопасности и охраны труда и определение применимости нормативных ограничений перед использованием.
ASTM F1192-00 История
2018ASTM F1192-11(2018) Стандартное руководство по измерению единичных явлений (SEP), вызванных облучением полупроводниковых приборов тяжелыми ионами
2011ASTM F1192-11 Стандартное руководство по измерению единичных явлений (SEP), вызванных облучением полупроводниковых приборов тяжелыми ионами
2000ASTM F1192-00(2006) Стандартное руководство по измерению единичных явлений (SEP), вызванных облучением полупроводниковых приборов тяжелыми ионами
2000ASTM F1192-00 Стандартное руководство по измерению единичных явлений (SEP), вызванных облучением полупроводниковых приборов тяжелыми ионами