GB/T 14847-2010 (Англоязычная версия) Метод определения толщины эпитаксиальных слоев легколегированного кремния на подложках из сильнолегированного кремния методом отражения инфракрасного излучения - Стандарты и спецификации PDF

GB/T 14847-2010
Метод определения толщины эпитаксиальных слоев легколегированного кремния на подложках из сильнолегированного кремния методом отражения инфракрасного излучения (Англоязычная версия)

Стандартный №
GB/T 14847-2010
язык
Китайский, Доступно на английском
Дата публикации
2011
Разместил
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Последняя версия
GB/T 14847-2010
заменять
GB/T 14847-1993
 

сфера применения
Этот стандарт определяет метод измерения коэффициента отражения инфракрасного излучения для толщины эпитаксиального слоя легколегированного кремния на сильнолегированной подложке. Настоящий стандарт применяется к измерению толщины эпитаксиальных слоев кремния n-типа и p-типа, удельное сопротивление подложки которых составляет менее 0,02 Ом·см при 23°C, а удельное сопротивление эпитаксиального слоя превышает 0,1 Ом·см. при 23°С и толщине эпитаксиального слоя более 2 мкм; С точки зрения точности этот метод в принципе также подходит для проверки толщины эпитаксиальных слоев n-типа и p-типа от 0,5 до 2 мкм.

GB/T 14847-2010 Ссылочный документ

  • GB/T 14264 Терминология полупроводниковых материалов*2024-04-25 Обновление
  • GB/T 1552 Методика измерения удельного сопротивления монокристаллического кремния и германия коллинеарной четырехзондовой решеткой
  • GB/T 6379.2  Точность (правильность и точность) методов измерения и результатов. Часть 2: Основной метод определения повторяемости и воспроизводимости стандартного метода измерения.

GB/T 14847-2010 История

  • 2011 GB/T 14847-2010 Метод определения толщины эпитаксиальных слоев легколегированного кремния на подложках из сильнолегированного кремния методом отражения инфракрасного излучения
  • 1993 GB/T 14847-1993 Метод определения толщины эктаксиальных слоев легколегированного кремния на подложках из сильнолегированного кремния по коэффициенту отражения инфракрасного излучения
Метод определения толщины эпитаксиальных слоев легколегированного кремния на подложках из сильнолегированного кремния методом отражения инфракрасного излучения

Специальные темы по стандартам и нормам

стандарты и спецификации

GB/T 6617-1995 Метод испытаний для измерения удельного сопротивления кремниевых пластин с использованием зонда сопротивления растекания YS/T 679-2008 Методы определения диффузионной длины неосновных носителей заряда в внешних полупроводниках путем измерения стационарной поверхностной фотоэдс GB/T 1555-2009 Методы испытаний для определения ориентации монокристалла полупроводника GB/T 6617-2009 Метод испытаний для измерения удельного сопротивления кремниевой пластины с использованием датчика сопротивления растекания GB/T 6624-2009 Стандартный метод измерения качества поверхности полированных пластинок кремния путем визуального контроля GB/T 14141-2009 Метод испытаний поверхностного сопротивления эпитаксиальных, диффузных и ионно-имплантированных слоев кремния с использованием коллинеарной четырехзондовой установки GB/T 32280-2015 Метод испытания на коробление кремниевых пластин. Метод автоматизированного бесконтактного сканирования.



© 2025. Все права защищены.