ASTM F673-90(1996)e1
Стандартные методы измерения удельного сопротивления срезов полупроводников или листового сопротивления полупроводниковых пленок бесконтактным вихретоковым датчиком
- Стандартный №
- ASTM F673-90(1996)e1
- Дата публикации
- 1990
- Разместил
- American Society for Testing and Materials (ASTM)
- состояние
- быть заменен
- ASTM F673-02
- Последняя версия
- ASTM F673-02
- сфера применения
- 1.1 Настоящие методы испытаний охватывают неразрушающее измерение объемного сопротивления кремния и некоторых срезов арсенида галлия, а также поверхностного сопротивления тонких пленок кремния или арсенида галлия, изготовленных на ограниченном диапазоне подложек, в центральной точке среза с использованием бесконтактного вихревого датчика. текущий манометр. 1.1.1 Измерения проводятся при комнатной температуре от 18 до 28176°С. 1.2 Эти методы испытаний в настоящее время ограничены монокристаллическим и поликристаллическим кремнием и объемными образцами арсенида галлия с внешней проводимостью или тонкими пленками кремния или арсенида галлия, изготовленными на подложках с относительно высоким удельным сопротивлением, но в принципе могут быть распространены на другие полупроводниковые материалы. 1.2.1 Объемные образцы кремния или арсенида галлия могут быть монокристаллическими или поликристаллическими и иметь любой тип проводимости (p или n) в виде пластинок (круглой или другой формы), свободных от диффузии или других проводящих слоев, которые изготовленные на нем, не имеющие трещин, пустот или других структурных нарушений и имеющие (1) размер от края до края, измеренный через центр среза, не менее 25 мм (1,00 дюйма); (2) толщина в диапазоне от 0,1 до 1,0 мм (от 0,004 до 0,030 дюйма) включительно и (3) удельное сопротивление в диапазоне от 0,001 до 200 омега см включительно. Не все комбинации толщины и удельного сопротивления могут быть измерены. Прибор будет принципиально ограничен фиксированным диапазоном сопротивления листа, например, указанным в 1.2.2; см. также 9.3. 1.2.2 Тонкие пленки кремния или арсенида галлия могут быть изготовлены методами диффузии, эпитаксии или ионной имплантации. Поверхностное сопротивление слоя должно находиться в номинальном диапазоне от 2 до 3000 Ом на кв. Подложка, на которой изготавливается тонкая пленка, должна иметь минимальный размер от края до края 25 мм, измеренный через центральную точку, и эффективное сопротивление листа, по крайней мере, в 1000 раз превышающее сопротивление тонкой пленки. Эффективное поверхностное сопротивление объемной подложки равно ее объемному удельному сопротивлению (в омега-см), деленному на ее толщину в см. 1.2.3 Качество поверхности образца не влияет на результаты измерений. 1.3 Данные методы испытаний требуют использования эталонов удельного сопротивления для калибровки аппарата (см. 7.1) и набора эталонных образцов для аттестации аппарата (см. 7.2). 1.4 Значения, указанные в единицах СИ, следует рассматривать как стандартные. Значения, указанные в скобках, предназначены только для информации. 1.5 Настоящий стандарт не претендует на решение всех проблем безопасности, если таковые имеются, связанных с его использованием. Пользователь настоящего стандарта несет ответственность за установление соответствующих мер безопасности и охраны труда и определение применимости нормативных ограничений перед использованием.
ASTM F673-90(1996)e1 Ссылочный документ
- ASTM E1 Стандартные спецификации для термометров ASTM*， 1998-11-10 Обновление
- ASTM F374
- ASTM F533 Стандартный метод испытаний толщины и изменения толщины кремниевых пластин*， 1996-11-10 Обновление
- ASTM F81
- ASTM F84
ASTM F673-90(1996)e1 История
- 1970 ASTM F673-02
- 1990 ASTM F673-90(1996)e1 Стандартные методы измерения удельного сопротивления срезов полупроводников или листового сопротивления полупроводниковых пленок бесконтактным вихретоковым датчиком
