IEC 61788-3:2000 Сверхпроводимость. Часть 3. Измерение критического тока; Критический постоянный ток оксидных сверхпроводников Bi-2212 и Bi-2223 в Ag-оболочке - Стандарты и спецификации PDF

IEC 61788-3:2000
Сверхпроводимость. Часть 3. Измерение критического тока; Критический постоянный ток оксидных сверхпроводников Bi-2212 и Bi-2223 в Ag-оболочке

Стандартный №
IEC 61788-3:2000
Дата публикации
2000
Разместил
International Electrotechnical Commission (IEC)
состояние
 2006-05
быть заменен
IEC 61788-3:2006
Последняя версия
IEC 61788-3:2006
сфера применения
В этой части IEC 61788 описан метод испытаний для определения постоянного критического тока коротких и прямых оксидных сверхпроводников Bi-2212 и Bi-2223 с оболочкой из Ag или Ag, которые имеют монолитную структуру и форму круглого или плоского провода. или квадратная лента, содержащая одно- или многожильные оксиды. Этот метод предназначен для использования со сверхпроводниками, имеющими критические токи менее 500 А и значения n более 5. Испытание проводится с применением внешних магнитных полей и без них. При испытании образца ленты в магнитных полях магнитные поля параллельны или перпендикулярны поверхности ленты. Во время испытаний испытуемый образец погружают либо в ванну с жидким гелием, либо в ванну с жидким азотом. Отклонения от данного метода испытаний, допущенные при плановых испытаниях, и другие конкретные ограничения приведены в настоящем стандарте. Существенные части метода испытаний, описанные в настоящем стандарте, аналогичны методам испытаний композитных сверхпроводников Nb3Sn (IEC 61788-2) или аналогичны им. Особенности, недавно обнаруженные для оксидных сверхпроводников, можно разделить на две группы. Первая группа характерна для оксидных композиционных сверхпроводников и включает механическую хрупкость, возникающую из-за наличия слабых связей, образования пузырьков криогенного газа, деградации при старении, течения и ползучести магнитного потока, большой анизотропии, гистерезиса критического тока при развертке магнитного поля и т. д. Вторая группа обусловлена малой длиной образца, используемого в стандарте. При измерении критического тока на таком образце можно легко обнаружить различные сигналы напряжения из-за термо-ЭДС, индуктивного напряжения, теплового шума, перераспределения тока, движения образца относительно держателя и т. д. Из-за небольшого расстояния могут присутствовать напряжения передачи тока. от токового контакта к отводу напряжения. Короткая длина образца может снизить механическую устойчивость к силе Лоренца, например, из-за образования пузырьков криогенного газа внутри композита.

IEC 61788-3:2000 История

  • 2006 IEC 61788-3:2006 Сверхпроводимость. Часть 3. Измерение критического тока. Критический постоянный ток оксидных сверхпроводников Bi-2212 и Bi-2223 с оболочкой из Ag и/или Ag-сплавов.
  • 2000 IEC 61788-3:2000 Сверхпроводимость. Часть 3. Измерение критического тока; Критический постоянный ток оксидных сверхпроводников Bi-2212 и Bi-2223 в Ag-оболочке



© 2023. Все права защищены.