GSO IEC 60444-9:2014 Измерение параметров кварцевого кристалла. Часть 9. Измерение побочных резонансов пьезоэлектрических кристаллов. - Стандарты и спецификации PDF

GSO IEC 60444-9:2014
Измерение параметров кварцевого кристалла. Часть 9. Измерение побочных резонансов пьезоэлектрических кристаллов.

Стандартный №
GSO IEC 60444-9:2014
Дата публикации
2014
Разместил
GCC Standardization Organization
Последняя версия
GSO IEC 60444-9:2014
 

сфера применения
В этой части IEC 60444 описаны два метода определения паразитных (нежелательных) мод пьезоэлектрических кристаллических резонаторов. Он расширяет возможности и улучшает воспроизводимость и точность по сравнению с предыдущими методами. Предыдущие методы, описанные в IEC 60283 (1968), были основаны на использовании измерительного моста, который применяется к неотслеживаемым компонентам, таким как переменные резисторы и гибридный трансформатор, которые больше не доступны на рынке. Метод A (Полное определение параметров) Полное определение параметров позволяет определить эквивалентные параметры побочных резонансов и основано на методах, описанных в IEC 60444-5, с использованием того же измерительного оборудования. Это предпочтительный метод, который можно применять для измерения побочных резонансов с низким и средним импедансом до нескольких кОм. Метод B (Определение сопротивления) Определение сопротивления следует использовать для определения паразитных резонансов с высоким импедансом, как указано, например, для некоторых кристаллов фильтра. В нем используется то же испытательное оборудование, что и в методе А, в сочетании с испытательным приспособлением, состоящим из имеющихся в продаже СВЧ-компонентов, таких как гибридный ответвитель 180° и аттенюатор 10 дБ, которые четко распознаются в среде с сопротивлением 50 Ом. Этот метод является усовершенствованием «эталонного метода» устаревшего стандарта IEC 60283.

GSO IEC 60444-9:2014 История

  • 2014 GSO IEC 60444-9:2014 Измерение параметров кварцевого кристалла. Часть 9. Измерение побочных резонансов пьезоэлектрических кристаллов.

Специальные темы по стандартам и нормам

стандарты и спецификации

IEC 60444-9:2007 параметров кварцевого кристалла. Часть 9. Измерение побочных резонансов пьезоэлектрических кристаллов. DS/EN 60444-9:2007 Измерение параметров кварцевого кристалла. Часть 9. Измерение побочных резонансов пьезоэлектрических кристаллов. EN 60444-9:2007 параметров кварцевого кристалла. Часть 9. Измерение побочных резонансов пьезоэлектрических кристаллов. NF C93-621-9*NF EN 60444-9:2014 параметров кварцевого кристалла. Часть 9. Измерение побочных резонансов пьезоэлектрических кристаллов. DANSK DS/EN 60444-9:2007 параметров кварцевого кристалла. Часть 9. Измерение побочных резонансов пьезоэлектрических кристаллов. LST EN 60444-9-2007 Измерение параметров кварцевого кристалла. Часть 9. Измерение побочных резонансов пьезоэлектрических кристаллов UNE-EN 60444-9:2007 Измерение параметров кварцевого кристалла. Часть 9. Измерение побочных резонансов пьезоэлектрических кристаллов GSO IEC 60483:2017 Руководство по динамическим измерениям пьезоэлектрической керамики с высокой электромеханической связью IEC 60444-1:1986/AMD1:1999 Измерение параметров кварцевых кристаллов методом нулевой фазы в -сети - Часть 1. Основной метод измерения резонансной частоты и резонансного сопротивления



© 2025. Все права защищены.