DIN EN 60749-19/A1 E:2009 Проект документа. Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Прочность матрицы на сдвиг (IEC 47/2016/CDV:2009); Немецкая версия EN 60749-19:2003/FprA1:2009 - Стандарты и спецификации PDF

DIN EN 60749-19/A1 E:2009
Проект документа. Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Прочность матрицы на сдвиг (IEC 47/2016/CDV:2009); Немецкая версия EN 60749-19:2003/FprA1:2009

Стандартный №
DIN EN 60749-19/A1 E:2009
Дата публикации
2009
Разместил
German Institute for Standardization
состояние
быть заменен
DIN EN 60749-19/A1 E:2009-10
Последняя версия
DIN EN 60749-19:2011-01
 

Введение
Этот стандарт описывает механические и климатические методы тестирования полупроводниковых устройств. В части, относящейся к чип-сдвигу, он устанавливает конкретные процедуры для определения прочности на сдвиг. Стандарт предоставляет подробные инструкции по подготовке образцов, выполнению тестов и интерпретации результатов. Он предназначен для использования в промышленности, связанной с производством и тестированием полупроводниковых компонентов. Включает в себя требования к оборудованию, условиям окружающей среды и параметрам измерений. Стандарт применяется для обеспечения надежности и качества полупроводниковых изделий на различных этапах их жизненного цикла. Он может использоваться как руководство для производителей, испытательных лабораторий и других заинтересованных сторон.

DIN EN 60749-19/A1 E:2009 История

  • 2011 DIN EN 60749-19:2011-01 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Прочность штампа на сдвиг (IEC 60749-19:2003 + A1:2010); Немецкая версия EN 60749-19:2003 + A1:2010 / Примечание: DIN EN 60749-19 (2003-10) остается действительным наряду с этим стандартом до 01 сентября 2013 г.
  • 2009 DIN EN 60749-19/A1 E:2009-10 Проект документа - Полупроводниковые приборы - Методы механических и климатических испытаний - Часть 19: Прочность штампа на сдвиг (IEC 47/2016/CDV:2009); Немецкая версия EN 60749-19:2003/FprA1:2009
  • 2009 DIN EN 60749-19/A1 E:2009 Проект документа. Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Прочность матрицы на сдвиг (IEC 47/2016/CDV:2009); Немецкая версия EN 60749-19:2003/FprA1:2009
  • 2003 DIN EN 60749-19:2003-10 Полупроводниковые устройства. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19: Сопротивление сдвигу кристалла (IEC 60749-19:2003); немецкая версия EN 60749-19:2003 + исправление 2003-06
  • 2003 DIN EN 60749-19:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Прочность матрицы на сдвиг (IEC 60749-19:2003); Немецкая версия EN 60749-19:2003 + исправление 2003-06.

стандарты и спецификации




© 2025. Все права защищены.