SJ 3244.4-1989
Методы измерения профиля распределения концентрации носителей в материалах из арсенида галлия и фосфида индия. Электрохимический вольт-емкостный метод. (Англоязычная версия)

Стандартный №: SJ 3244.4-1989
язык: Китайский, Доступно на английском
Дата публикации: 1989
Разместил: Professional Standard - Electron
состояние: снять со счета 2010-02
Последняя версия: SJ 3244.4-1989

сфера применения: 1.1 Настоящий стандарт определяет принципы, требования к приборам и электролитам, процедуры измерений и расчет результатов измерений для измерения электрохимического напряжения-емкостного метода. 1.2 Настоящий стандарт распространяется на арсенид галлия n-типа и p-типа и фосфид индия с концентрацией носителей 10^(14)~10(19)см^(-3), а также распространяется на арсенид галлия алюминия и арсенид индия галлия. фосфид. Измерение профилей концентрации материальных носителей.

SJ 3244.4-1989 История

1989 SJ 3244.4-1989 Методы измерения профиля распределения концентрации носителей в материалах из арсенида галлия и фосфида индия. Электрохимический вольт-емкостный метод.

Методы измерения профиля распределения концентрации носителей в материалах из арсенида галлия и фосфида индия. Электрохимический вольт-емкостный метод.

Специальные темы по стандартам и нормам

GaInAs Как проверить концентрацию носителей Концентрация носителей концентрация носителей Концентрация носителей напряжение конденсатора напряжение конденсатора текущий потенциал электрохимический тест Длина волны InGaAs Состав InGaAs Состав InGaAs

стандарты и спецификации

SJ 3248-1989 Методы измерения концентрации носителей считываемого арсенида галлия и фосфида индия методом инфракрасного отражения SJ 3244.1-1989 Методы измерения холловской подвижности и концентрации носителей арсенида галлия и фосфида индия SJ 3249.1-1989 Методы измерения удельного сопротивления полуизоляционного монокристаллического материала арсенида галлия и фосфида индия SJ 3244.5-1989 Методы измерения степени компенсации материалов арсенида галлия и фосфида индия SJ/Z 3206.13-1989 Общие правила анализа спектра излучения полупроводниковых материалов DIN 50439:1982 Испытание материалов для полупроводниковой техники; Определение профиля концентрации легирующей примеси монокристаллического полупроводникового материала вольт ASTM F398-92(2002 Стандартный метод определения концентрации основных носителей заряда в полупроводниках путем измерения волнового числа или длины волны минимума плазменного ASTM F398-92(1997 Стандартный метод определения концентрации основных носителей заряда в полупроводниках путем измерения волнового числа или длины волны минимума плазменного ASTM F418-77(2002 Стандартная практика подготовки образцов области постоянного состава эпитаксиального арсенида фосфида галлия для измерения эффекта Холла