Настоящий стандарт распространяется на монокристаллы арсенида галлия и фосфида индия n-типа и p-типа, а также на эпитаксиальные слои высокоомных подложек, а концентрация носителей составляет 1×10^(12)~5×10^(15)см^. (- 3) Испытание и анализ степени компенсации полупроводниковых материалов в диапазоне. В принципе, он также применим для испытаний и анализа степени компенсации других материалов соединений III-V.
SJ 3244.5-1989 История
1989SJ 3244.5-1989 Методы измерения степени компенсации материалов арсенида галлия и фосфида индия