BS IEC 62951-5:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Метод испытания тепловых характеристик гибких материалов. - Стандарты и спецификации PDF

BS IEC 62951-5:2019
Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Метод испытания тепловых характеристик гибких материалов.

Стандартный №
BS IEC 62951-5:2019
Дата публикации
2019
Разместил
British Standards Institution (BSI)
Последняя версия
BS IEC 62951-5:2019
 

сфера применения

Обзор стандарта и техническая база

IEC 62951-5, пятая часть серии стандартов для гибких и эластичных полупроводниковых приборов, специально описывает бесконтактные оптические методы испытаний тепловых свойств гибких материалов. Этот стандарт распространяется на измерение тепловых параметров гибких подложек и тонких пленок при изгибе и растяжении, заполняя пробел в стандартизации терморегулирования гибких электронных приборов.


Основные принципы тестирования

Тип материала Стандарт толщины Метод измерения Типичная длина волны
Материал подложки >20-кратная длина волны детектирующего лазера Тепловое отражение при одной длине волны 633 нм
Материал тонкой пленки <20-кратная длина волны детектирующего лазера Метод двухволнового соотношения 532 нм+633 нм
В стандарте впервые в качестве основного параметра измерения используется коэффициент теплового отражения (ρ). Этот параметр определяется как отношение мощности света, отраженного поверхностью материала, к мощности падающего света на определенной длине волны. Для тонкой пленки на основе кремния толщиной 1,526 мкм зависимость коэффициента отражения от температуры на длинах волн 532 нм и 633 нм демонстрирует значительную нелинейность (см. рисунок 7 в стандарте).


Требования к конфигурации испытательной системы

Ключевые компоненты оборудования

  • Система источника лазерного излучения: не менее двух лазеров с разными длинами волн (рекомендуется комбинация 532 нм/633 нм)
  • Платформа управления движением: трехкоординатный моторизованный трансляционный столик + гониометр, точность позиционирования ≤1 мкм
  • Модуль калибровки температуры: блок холодной/горячей температуры с диапазоном регулирования от -40 °C до 200 °C
  • Оптический блок обнаружения: кремниевый фотодетектор + синхронный усилитель, отношение сигнал/шум ≥80 дБ

На трехмерной схеме конструкции двухволновой системы теплового отражения, представленной в Приложении А В стандарте особое внимание уделяется использованию расширителя пучка, который позволяет контролировать диаметр фокуса лазера (d₀) с точностью до микрона. Формула расчета: d₀=2fλ/D (где f — фокусное расстояние линзы, D — диаметр падающего пучка).


Ключевые моменты реализации процесса тестирования

Этап калибровки

  1. Создание опорной кривой зависимости отражательной способности от температуры с помощью температурного блока (для материалов подложки требуется одна длина волны, для материалов тонкой пленки — две длины волны)
  2. Для образцов тонкой пленки необходимо записать соотношение между коэффициентом отражения (Rλ1/Rλ2) и температурой
  3. Используйте термопасту, чтобы гарантировать, что контактное тепловое сопротивление между образцом и модулем контроля температуры составляет менее 0,1 К/Вт

Этап измерения

Тип параметра Метод измерения Формула расчета
Локальная температура (Tloc) Измерение отражательной способности в одной точке Непосредственно проверьте калибровочную кривую
Средняя температура (Tavg) Измерение методом сканирования площади ∑Tloc(i)/n
Тепловая постоянная времени (τ) Динамическое измерение нагрева переменным током T(t)=Ti+(Tf-Ti)(1-e-t/τ)

Предложения по инженерному применению

План обработки особых рабочих условий

Для образцов с высоким сопротивлением стандарт рекомендует использовать неджоулевые методы нагрева (например, лазерный нагрев или элементы Пельтье). При испытании радиусов изгиба менее 5 мм обратите внимание на следующее:

  • Сохраняйте угол падения лазера перпендикулярным (используйте гониометр для калибровки)
  • Увеличьте плотность сканирования (шаг ≤ 100 мкм)
  • Управляйте скоростью деформации менее 0,1 мм/с, чтобы избежать теплового гистерезиса

Реальные примеры показывают, что отражательная способность кремниевой пленки толщиной 1,64 мкм изменяется на 0,12% при повышении температуры на 1 °C при длине волны 633 нм (рисунок 2 стандарта). Рекомендуемая погрешность измерения составляет ±0,5 °C.


Развитие стандарта и перспективы

Как первое издание стандарта, выпущенное в 2019 году, IEC 62951-5 сохраняет техническую стабильность до 2024 года. По мере развития гибкой электроники в направлении областей носимых устройств и эпидермальной электроники в будущих редакциях могут быть добавлены:

  • Испытание эффектов термической связи при многоосной деформации
  • Метод анализа в частотной области переходного теплового импеданса
  • Специальные пункты испытаний для биосовместимых материалов

BS IEC 62951-5:2019 История

  • 2019 BS IEC 62951-5:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Метод испытания тепловых характеристик гибких материалов.
Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Метод испытания тепловых характеристик гибких материалов.

Специальные темы по стандартам и нормам

стандарты и спецификации

IEC 62951-5:2019 приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 5. Метод испытания тепловых характеристик гибких материалов. IEC 62951-8:2023 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 8. Метод испытания на растяжимость, гибкость и стабильность гибкой резистивной BS IEC 62951-1:2017 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растягивающиеся полупроводниковые приборы. Метод испытаний на изгиб проводящих тонких пленок на гибких подложках DIN EN 62047-22 E:2012-11 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 22. Метод электромеханического испытания на растяжение проводящих тонких пленок на гибких BS IEC 62951-6:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Метод испытания поверхностного сопротивления гибких проводящих пленок BS IEC 62951-3:2018 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Оценка характеристик тонкопленочных транзисторов на гибких подложках при выпучивании NAVY MIL-PRF-81705 D (1)-2004 МАТЕРИАЛЫ БАРЬЕРНЫЕ ГИБКИЕ, ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЕ ЗАЩИТНЫЕ, ТЕРМОСВАРИВАЕМЫЕ IEEE No 256-1963 Процедура испытаний IEEE для полупроводниковых диодов DIN EN 60749-8:2003 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 8. Герметизация (IEC 60749-8:2002 + Исправление 1:2003 + Исправление 2:2003



© 2025. Все права защищены.