Согласно главе 4 стандарта, при проникновении пучка электронов высокой энергии в кристаллический образец в просвечивающем электронном микроскопе в задней фокальной плоскости объектива формируется дифракционная картина. Монокристаллические образцы демонстрируют регулярный массив точек (рисунок 1), в то время как поликристаллические образцы формируют концентрические дифракционные кольца (рисунок 4). Соотношение между вектором дифракции Rhkl и межплоскостным расстоянием dhkl определяется формулой (3):
Rhkl·dhkl ≅ Lλ
Где Lλ — постоянная камеры, ее необходимо откалибровать с помощью стандартного образца с известными параметрами решетки (например, золота или алюминия).
| Шаги | Рабочие точки | Технические параметры |
|---|---|---|
| Подготовка прибора (8.1) | Калибровка предметного столика с двойным наклоном, защита от загрязнения холодным пальцем | Стабильность ускоряющего напряжения ≤10-5 |
| Требования к образцу (глава 7) | Толщина <100 нм, чистый и без оксидного слоя | Выбранный предел апертуры области ≥200 нм |
| Получение дифракционной картины (8.2) | Концентрическая регулировка высоты, выравнивание с помощью линии Кикучи | Длина камеры: 500–2000 мм |
Образец нержавеющей стали 304 был проанализирован методом SAED. Сравнение дифракционных картин двух кристаллографических осей [011] (рисунок B.2) и [113] (рисунок B.9) подтвердило его ГЦК-структуру, а измеренное значение постоянной решетки составило a = 0,359 ± 0,003 нм.
По сравнению с изданием 2010 года основные изменения в издании 2018 года включают в себя:
Управление неопределенностью:Согласно главе 11, постоянная ошибка камеры в основном возникает из-за изменения фокусного расстояния объектива (Δfo/fo). Рекомендуется:
Формула расчета полной неопределенности: u = √(scc2 + sd2 + sm2)

© 2025. Все права защищены.