ISO 25498:2018 Микролучевой анализ. Аналитическая электронная микроскопия. Электронографический анализ выбранной области с использованием просвечивающего электронного микроскопа. - Стандарты и спецификации PDF

ISO 25498:2018
Микролучевой анализ. Аналитическая электронная микроскопия. Электронографический анализ выбранной области с использованием просвечивающего электронного микроскопа.

Стандартный №
ISO 25498:2018
Дата публикации
2018
Разместил
International Organization for Standardization (ISO)
состояние
быть заменен
ISO 25498:2025
Последняя версия
ISO 25498:2025
 

сфера применения

Анализ основного содержания стандарта

Основные принципы дифракции

Согласно главе 4 стандарта, при проникновении пучка электронов высокой энергии в кристаллический образец в просвечивающем электронном микроскопе в задней фокальной плоскости объектива формируется дифракционная картина. Монокристаллические образцы демонстрируют регулярный массив точек (рисунок 1), в то время как поликристаллические образцы формируют концентрические дифракционные кольца (рисунок 4). Соотношение между вектором дифракции Rhkl и межплоскостным расстоянием dhkl определяется формулой (3):

Rhkl·dhkl ≅ Lλ

Где Lλ — постоянная камеры, ее необходимо откалибровать с помощью стандартного образца с известными параметрами решетки (например, золота или алюминия).


Ключевой экспериментальный процесс

Шаги Рабочие точки Технические параметры
Подготовка прибора (8.1) Калибровка предметного столика с двойным наклоном, защита от загрязнения холодным пальцем Стабильность ускоряющего напряжения ≤10-5
Требования к образцу (глава 7) Толщина <100 нм, чистый и без оксидного слоя Выбранный предел апертуры области ≥200 нм
Получение дифракционной картины (8.2) Концентрическая регулировка высоты, выравнивание с помощью линии Кикучи Длина камеры: 500–2000 мм

Пример применения

Образец нержавеющей стали 304 был проанализирован методом SAED. Сравнение дифракционных картин двух кристаллографических осей [011] (рисунок B.2) и [113] (рисунок B.9) подтвердило его ГЦК-структуру, а измеренное значение постоянной решетки составило a = 0,359 ± 0,003 нм.


Технологическое развитие и обновление стандартов

По сравнению с изданием 2010 года основные изменения в издании 2018 года включают в себя:

  • Семь новых определений терминов (3.1–3.14)
  • Удалена диаграмма построения сферы Эвальда
  • Улучшен процесс калибровки поликристаллического стандарта (глава 5)
  • Добавлен специальный раствор для обработки дифракции нанокристаллов (9.2.5)

Рекомендации по внедрению

Управление неопределенностью:Согласно главе 11, постоянная ошибка камеры в основном возникает из-за изменения фокусного расстояния объектива (Δfo/fo). Рекомендуется:

  1. Калибровать Lλ с помощью стандартов Au до и после каждого эксперимента
  2. Сохранять постоянную высоту образца (концентрическое положение)
  3. Измерять среднее значение шести диаметров радиальных дифракционных колец

Формула расчета полной неопределенности: u = √(scc2 + sd2 + sm2)

ISO 25498:2018 Ссылочный документ

  • ISO/IEC 17025 Общие требования к компетентности испытательных и калибровочных лабораторий [Стандарт на французском языке]

ISO 25498:2018 История

  • 2025 ISO 25498:2025 Микролучевой анализ — Аналитическая электронная микроскопия — Анализ электронной дифракции выбранной области с использованием просвечивающего электронного микроскопа
  • 2018 ISO 25498:2018 Микролучевой анализ. Аналитическая электронная микроскопия. Электронографический анализ выбранной области с использованием просвечивающего электронного микроскопа.
  • 2010 ISO 25498:2010 Микролучевой анализ. Аналитическая электронная микроскопия. Электронографический анализ выбранных участков с использованием просвечивающего электронного микроскопа.
Микролучевой анализ. Аналитическая электронная микроскопия. Электронографический анализ выбранной области с использованием просвечивающего электронного микроскопа.

Специальные темы по стандартам и нормам

стандарты и спецификации




© 2025. Все права защищены.