IEC TS 62916:2017
Фотоэлектрические модули. Проверка чувствительности байпасных диодов к электростатическому разряду

Стандартный №

IEC TS 62916:2017

Дата публикации

2017

Разместил

International Electrotechnical Commission (IEC)

Последняя версия

IEC TS 62916:2017

заменять

IEC 82/1059/DTS:2016

сфера применения

В этом документе описывается испытание на устойчивость к электростатическому разряду (ESD) байпасного диода дискретных компонентов и метод анализа данных. В методе испытаний байпасный диод подвергается стресс-тесту с прогрессивным электростатическим разрядом, а метод анализа обеспечивает средства для анализа и экстраполяции возникающих отказов с использованием двухпараметрической функции распределения Вейбулла. Целью настоящего документа является создание общего и воспроизводимого метода испытаний для определения устойчивости к перенапряжению диодов в соответствии с событием электростатического разряда во время процессов производства, упаковки, транспортировки или установки фотоэлектрических модулей. Этот документ не претендует на устранение причин электростатического разряда или на установление уровней годности или отказа для устройств с байпасными диодами. Пользователь несет ответственность за оценку уровня воздействия электростатического разряда с учетом конкретных обстоятельств. Данные, полученные с помощью этой процедуры, могут поддерживать квалификацию новых типов конструкций, контроль качества входящего материала и/или определять необходимость дополнительного контроля электростатического разряда в производственном процессе. Наконец, этот документ не применим к событиям больших скачков энергии, таким как прямое или косвенное воздействие молнии, переключение конденсаторной батареи и т.п.

IEC TS 62916:2017 Ссылочный документ

• IEC 61000-4-2:2008 Электромагнитная совместимость (ЭМС). Часть 4-2. Методы испытаний и измерений. Испытание на устойчивость к электростатическим разрядам.

IEC TS 62916:2017 История

• 2017 IEC TS 62916:2017 Фотоэлектрические модули. Проверка чувствительности байпасных диодов к электростатическому разряду