IEC 62047-26:2016 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 26. Описание и методы измерения микротраншейных и игольчатых структур.

сфера применения: В этой части IEC 62047 даны описания траншейной и игольчатой структуры в микрометровом масштабе. Кроме того, приведены примеры измерения геометрии обеих конструкций. Для траншейных конструкций настоящий стандарт распространяется на конструкции глубиной от 1 до 100 мкм; стены и траншеи шириной от 5 до 150 мкм соответственно; и соотношение сторон 0,006 от 7 до 20. Для игольчатых структур стандарт распространяется на структуры с тремя или четырьмя гранями с высотой, шириной по горизонтали и шириной по вертикали 2 мкм или более, а также с размерами, помещающимися внутри куба со сторонами 100. мкм. Этот стандарт применим к структурному проектированию МЭМС и геометрической оценке после процессов МЭМС.

IEC 62047-26:2016 История

2016 IEC 62047-26:2016 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 26. Описание и методы измерения микротраншейных и игольчатых структур.