В стандарте IEC 62417:2010 предусмотрена процедура испытаний на уровне пластин для определения количества положительного подвижного заряда в оксидных слоях металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов. Он применим как к активным, так и к паразитным полевым транзисторам. Подвижный заряд может вызвать деградацию микроэлектронных устройств, например, из-за смещения порогового напряжения МОП-транзисторов или инверсии базы в биполярных транзисторах.
DS/EN 62417:2010 История
2010DS/EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)