JIS C 5630-6:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость. - Стандарты и спецификации PDF

JIS C 5630-6:2011
Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость.

Стандартный №
JIS C 5630-6:2011
Дата публикации
2011
Разместил
Japanese Industrial Standards Committee (JISC)
состояние
Последняя версия
JIS C 5630-6:2011
заменить на
GMKOREA EDS-M-4633-2014

JIS C 5630-6:2011 Ссылочный документ

  • JIS C 5630-2 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение.

JIS C 5630-6:2011 История

  • 2011 JIS C 5630-6:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость.

JIS C 5630-6:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость. было изменено на GMKOREA EDS-M-4633-2014 Смесь полипропилена и каучука EPDM, наполненная 15 % тальком (версия 17; английский/корейский язык; не использовать в новой программе; замены нет).




© 2023. Все права защищены.