В этой части IEC 60747 приведены стандарты для следующих категорий полевых транзисторов:
——тип A: тип переходного затвора;
——тип B: тип истощения с изолированным затвором (нормально включенный);
——тип C: тип расширения с изолированным затвором (обычно выключен). Поскольку полевой транзистор может иметь один или несколько затворов, приведенная ниже классификация дает следующие результаты: ПРИМЕЧАНИЕ 1. Устройства с барьерным затвором Шоттки и устройства с изолированным затвором включают устройства истощающего типа и устройства улучшающего типа. ПРИМЕЧАНИЕ 2. МОП-транзисторы для некоторых применений могут не иметь характеристик инверсного диода, указанных в технических характеристиках. Для таких применений разрабатываются специальные структуры элементов схемы, позволяющие исключить корпусные диоды. Приложения MOSFET, такие как оборудование управления двигателем, должны указывать характеристики инверсного диода в MOSFET, чтобы использовать инверсный диод в качестве обратного диода. ПРИМЕЧАНИЕ 3. В настоящем стандарте используется графический символ только для типа С. Стандарт в равной степени применим как для P-канала, так и для устройств типов A и B.
IEC 60747-8:2010 История
2021IEC 60747-8:2010/AMD1:2021 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.
2021IEC 60747-8:2021 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.
2010IEC 60747-8:2010 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.
2000IEC 60747-8:2000 Полупроводниковые приборы. Часть 8. Полевые транзисторы.