IEC 60747-8:2010 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы. - Стандарты и спецификации PDF

IEC 60747-8:2010
Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.

Стандартный №
IEC 60747-8:2010
Дата публикации
2010
Разместил
International Electrotechnical Commission (IEC)
состояние
быть заменен
IEC 60747-8:2021
Последняя версия
IEC 60747-8:2010/AMD1:2021
сфера применения
В этой части IEC 60747 приведены стандарты для следующих категорий полевых транзисторов:  ——тип A: тип переходного затвора;  ——тип B: тип истощения с изолированным затвором (нормально включенный);  ——тип C: тип расширения с изолированным затвором (обычно выключен). Поскольку полевой транзистор может иметь один или несколько затворов, приведенная ниже классификация дает следующие результаты: ПРИМЕЧАНИЕ 1. Устройства с барьерным затвором Шоттки и устройства с изолированным затвором включают устройства истощающего типа и устройства улучшающего типа. ПРИМЕЧАНИЕ 2. МОП-транзисторы для некоторых применений могут не иметь характеристик инверсного диода, указанных в технических характеристиках. Для таких применений разрабатываются специальные структуры элементов схемы, позволяющие исключить корпусные диоды. Приложения MOSFET, такие как оборудование управления двигателем, должны указывать характеристики инверсного диода в MOSFET, чтобы использовать инверсный диод в качестве обратного диода. ПРИМЕЧАНИЕ 3. В настоящем стандарте используется графический символ только для типа С. Стандарт в равной степени применим как для P-канала, так и для устройств типов A и B.

IEC 60747-8:2010 История

  • 2021 IEC 60747-8:2010/AMD1:2021 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.
  • 2021 IEC 60747-8:2021 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.
  • 2010 IEC 60747-8:2010 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.
  • 2000 IEC 60747-8:2000 Полупроводниковые приборы. Часть 8. Полевые транзисторы.
  • 1993 IEC 60747-8/AMD2:1993 Полупроводниковые приборы; дискретные устройства; часть 8: полевые транзисторы; поправка 2
  • 1991 IEC 60747-8/AMD1:1991 Полупроводниковые приборы; дискретные устройства; часть 8: полевые транзисторы; поправка 1
  • 1984 IEC 60747-8:1984 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.
Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.



© 2024. Все права защищены.