BS IEC 60747-8-4:2004 Дискретные полупроводниковые устройства. Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы) для переключения мощности. - Стандарты и спецификации PDF

BS IEC 60747-8-4:2004
Дискретные полупроводниковые устройства. Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы) для переключения мощности.

Стандартный №
BS IEC 60747-8-4:2004
Дата публикации
2004
Разместил
British Standards Institution (BSI)
Последняя версия
BS IEC 60747-8-4:2004
сфера применения
Приводятся подробные сведения о следующих категориях металлооксидно-полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) с обратными диодами: истощающего типа B (обычно включенного) и улучшенного типа C (обычно выключенного).

BS IEC 60747-8-4:2004 История

  • 2004 BS IEC 60747-8-4:2004 Дискретные полупроводниковые устройства. Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы) для переключения мощности.



© 2023. Все права защищены.