IEC 60747-8-4:2004 Дискретные полупроводниковые устройства. Часть 8-4. Полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник (МОП-транзисторы) для устройств переключения мощности. - Стандарты и спецификации PDF

IEC 60747-8-4:2004
Дискретные полупроводниковые устройства. Часть 8-4. Полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник (МОП-транзисторы) для устройств переключения мощности.

Стандартный №
IEC 60747-8-4:2004
Дата публикации
2004
Разместил
International Electrotechnical Commission (IEC)
Последняя версия
IEC 60747-8-4:2004
заменять
IEC 47E/259/FDIS:2004
сфера применения
Приводятся подробные сведения о следующих категориях металлооксидно-полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) с обратными диодами: истощающего типа B (обычно включенного) и улучшенного типа C (обычно выключенного).

IEC 60747-8-4:2004 История

  • 2004 IEC 60747-8-4:2004 Дискретные полупроводниковые устройства. Часть 8-4. Полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник (МОП-транзисторы) для устройств переключения мощности.



© 2023. Все права защищены.