GB/T 24576-2009
Метод испытаний для измерения доли Al на подложках AlGaAs методом рентгеновской дифракции высокого разрешения. (Англоязычная версия)
- Стандартный №
- GB/T 24576-2009
- язык
- Китайский, Доступно на английском
- Дата публикации
- 2009
- Разместил
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- Последняя версия
- GB/T 24576-2009
- сфера применения
- Настоящий стандарт определяет метод измерения содержания Al в эпитаксиальном слое AlGaAs на подложке GaAs методом дифракции рентгеновских лучей высокого разрешения. Этот метод пригоден для определения содержания Al в эпитаксиальном слое AlGaAs, выращенном в направлении нелегированной подложки GaAs. При использовании этого метода для измерения содержания элемента Al толщина эпитаксиального слоя AlGaAs должна быть более 300 нм.
GB/T 24576-2009 История
- 2009 GB/T 24576-2009 Метод испытаний для измерения доли Al на подложках AlGaAs методом рентгеновской дифракции высокого разрешения.
