QJ 10007/11-2008
Детальная спецификация на кремниевые высокочастотные маломощные транзисторы с высоким обратным напряжением типа 3ДГ182 для полупроводниковых дискретных приборов, применяемых в аэрокосмической отрасли (Англоязычная версия)

Стандартный №

QJ 10007/11-2008

язык

Китайский, Доступно на английском

Разместил

Professional Standard - Aerospace

Последняя версия

QJ 10007/11-2008

QJ 10007/11-2008 История

• 1970 QJ 10007/11-2008 Детальная спецификация на кремниевые высокочастотные маломощные транзисторы с высоким обратным напряжением типа 3ДГ182 для полупроводниковых дискретных приборов, применяемых в аэрокосмической отрасли