Электронная оже-спектроскопия дает информацию о химическом и физическом состоянии поверхности твердого тела в приповерхностной области. Неразрушающее глубинное профилирование ограничено этой приповерхностной областью. Методика измерения глубины кратеров и толщины пленки приведена в (1). Ионное распыление в основном используется на глубинах менее порядка 1 мкм. Угловая притирка или механическое кратерирование в основном используется на глубинах более 1 мкм. Выбор методов профилирования глубины для исследования интерфейса зависит от шероховатости поверхности, шероховатости интерфейса и толщины пленки (2). Ширина границы профиля глубины может быть измерена с использованием логистической функции, которая описана в Методике E 1636.1.1. В этом руководстве описаны процедуры, используемые для определения профиля глубины в электронной оже-спектроскопии. 1.2 Рекомендации по профилированию глубины даны следующим образом: Раздел Ионное распыление 6 Угловая притирка и поперечное сечение 7 Механическое образование кратеров 8 Метод реплики сетки 9 Неразрушающее профилирование глубины 10 1.3 Значения, указанные в единицах СИ, следует рассматривать как стандартные. Никакие другие единицы измерения в настоящий стандарт не включены. 1.4 Настоящий стандарт не претендует на решение всех проблем безопасности, если таковые имеются, связанных с его использованием. Пользователь настоящего стандарта несет ответственность за установление соответствующих мер безопасности и охраны труда и определение применимости нормативных ограничений перед использованием.
ASTM E1127-08 История
2024ASTM E1127-24 Стандартное руководство по профилированию глубины в оже-электронной спектроскопии
2008ASTM E1127-08(2015) Стандартное руководство по профилированию глубины в электронной оже-спектроскопии
2008ASTM E1127-08 Стандартное руководство по профилированию глубины в электронной оже-спектроскопии
2003ASTM E1127-03 Стандартное руководство по профилированию глубины в электронной оже-спектроскопии
1991ASTM E1127-91(1997) Стандартное руководство по профилированию глубины в электронной оже-спектроскопии