Иллюстрации, представленные в этом руководстве, предназначены для использования в качестве справочных материалов при интерпретации пленочных и непленочных изображений, полученных в результате рентгеновского исследования (см. Таблицу 1), для проверки качества сборки и качества изготовления. Обязательные атрибуты конструктивных особенностей или другие детали конструкции не приводятся, но должны быть установлены по взаимному согласию производителей и пользователей этих устройств. Многие устройства имеют общие особенности сборки; таким образом, эти интерпретации могут использоваться для компонентов, не проиллюстрированных. 1.1 В этом руководстве представлены иллюстрации рентгенограмм полупроводников и связанных с ними устройств. Транзисторы малой мощности (через корпусную компоновку ТО-11), диоды, выпрямители малой мощности, силовые устройства и интегральные схемы изображены с общими особенностями сборки. Для этих устройств описаны конкретные области конструкции с подробным описанием критических точек проектирования или сборки. Настоящий стандарт не претендует на рассмотрение всех проблем безопасности, если таковые имеются, связанных с его использованием. Пользователь настоящего стандарта несет ответственность за установление соответствующих мер безопасности и охраны труда и определение применимости нормативных ограничений перед использованием.
ASTM E431-96(2007) История
2022ASTM E431-96(2022) Стандартное руководство по интерпретации рентгенограмм полупроводников и связанных с ними устройств
1996ASTM E431-96(2016) Стандартное руководство по интерпретации рентгенограмм полупроводников и связанных с ними устройств
1996ASTM E431-96(2011) Стандартное руководство по интерпретации рентгенограмм полупроводников и связанных с ними устройств
1996ASTM E431-96(2007) Стандартное руководство по интерпретации рентгенограмм полупроводников и связанных с ними устройств
1996ASTM E431-96(2002) Стандартное руководство по интерпретации рентгенограмм полупроводников и связанных с ними устройств
1996ASTM E431-96 Стандартное руководство по интерпретации рентгенограмм полупроводников и связанных с ними устройств