SJ 2748-1987 (Англоязычная версия) Пустая подробная спецификация однозатворных малошумящих СВЧ полевых транзисторов - Стандарты и спецификации PDF

SJ 2748-1987
Пустая подробная спецификация однозатворных малошумящих СВЧ полевых транзисторов (Англоязычная версия)

Стандартный №
SJ 2748-1987
язык
Китайский, Доступно на английском
Дата публикации
1987
Разместил
Professional Standard - Electron
состояние
 2010-02
Последняя версия
SJ 2748-1987
 

сфера применения
В этой пустой подробной спецификации изложены основные принципы разработки подробных спецификаций для микроволновых малошумящих однозатворных полевых транзисторов. Все подробные спецификации в рамках этой области должны быть разработаны в соответствии с этой пустой подробной спецификацией. Эта пустая подробная спецификация относится к документу Международной электротехнической комиссии (IEC) TC47(CO)958, который является одной из серии пустых подробных спецификаций, связанных с GB 4936.1-85 «Общие спецификации для полупроводниковых дискретных устройств».

SJ 2748-1987 История

  • 1987 SJ 2748-1987 Пустая подробная спецификация однозатворных малошумящих СВЧ полевых транзисторов
Пустая подробная спецификация однозатворных малошумящих СВЧ полевых транзисторов

Специальные темы по стандартам и нормам

стандарты и спецификации

IEC 60747-8-1:1987 Полупроводниковые приборы - Дискретные устройства. Часть 8: Полевые транзисторы. Бланковая подробная спецификация однозатворных полевых транзисторов мощностью SJ 50033/174-2007 Полупроводниковые дискретные устройства Подробная спецификация кремниевого импульсного силового СВЧ-транзистора типа 3DA521 IEC 60747-8-1:1987 Полупроводниковые приборы - Дискретные устройства. Часть 8: Полевые транзисторы. Бланковая подробная спецификация однозатворных полевых транзисторов мощностью BS 9352:1980 Правила составления технических условий на полупроводниковые приборы оцениваемого качества: транзисторы полевые для СВЧ применения SJ 50033/170-2007 Полупроводниковые дискретные устройства Подробная спецификация кремниевого импульсного силового СВЧ-транзистора типа 3DA516 SJ 50033/171-2007 Полупроводниковые дискретные устройства Подробная спецификация кремниевого импульсного силового СВЧ-транзистора типа 3DA518 SJ 50033/173-2007 Полупроводниковые дискретные устройства Подробная спецификация кремниевого импульсного силового СВЧ-транзистора типа 3DA520 SJ 50033/175-2007 Полупроводниковые дискретные устройства Подробная спецификация кремниевого импульсного силового СВЧ-транзистора типа 3DA522 SJ 50033/176-2007 Полупроводниковые дискретные устройства Подробная спецификация кремниевого импульсного силового СВЧ-транзистора типа 3DA523



© 2025. Все права защищены.